
【計】 bubble lattice
magnetism
【化】 bubbling point
a period of time; battle array; blast; front
【機】 array
磁泡點陣(magnetic bubble lattice)是固态存儲技術中的專業術語,指磁性薄膜材料在外加垂直磁場作用下形成的規則排列圓柱形磁疇結構。其直徑通常在微米量級,形似氣泡,故稱為"磁泡",其有序排列構成點陣形态。
該技術的物理機制基于鐵氧體或石榴石晶體薄膜的磁各向異性特性。當垂直于膜面的偏置磁場達到特定強度時,磁疇會收縮形成孤立柱狀磁泡。通過控制局部磁場,可實現磁泡的産生、移動和檢測,每個磁泡代表二進制數據的1或0。
在工程應用中,磁泡存儲器具有非易失性、抗輻射和機械振動等優點,曾被用于航天器存儲系統和工業控制設備。美國貝爾實驗室在1967年率先觀察到該現象,日本電氣公司在1970年代開發出實用化磁泡存儲器模塊,存儲密度達到1Mb/in²量級。
當前該技術雖已被閃存等新型存儲介質取代,但其物理原理仍被應用于自旋電子學研究中。美國國家标準技術研究院(NIST)近年研究發現,磁泡點陣的動态特性可為拓撲磁存儲器研發提供新思路。
磁泡點陣是一種基于磁性材料特殊結構的物理現象,主要應用于早期計算機存儲技術。以下是其核心要點:
基本定義
磁泡(Magnetic Bubble)指在外加垂直磁場作用下,磁性材料中形成的圓柱狀磁疇結構,其截面呈圓形,形似“氣泡”。而“點陣”(Lattice)表示這些磁泡在材料表面按規則排列形成的陣列結構。
結構與形成條件
應用領域
主要用于20世紀70-80年代的磁泡存儲器(Bubble Lattice File),通過控制磁泡的生成、移動與消失實現數據存儲。其優勢包括非易失性、抗輻射等,但後被半導體存儲器取代。
物理機制補充
磁泡的産生與材料内部磁各向異性有關,磁疇邊界(疇壁)的能态變化導緻磁泡形成。點陣排列則源于磁泡間的相互作用力平衡。
注:由于相關資料來源較早且權威性有限,建議通過學術文獻進一步驗證技術細節。
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