磁泡点阵英文解释翻译、磁泡点阵的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bubble lattice

magnetism

【化】 bubbling point

a period of time; battle array; blast; front
【机】 array

磁泡点阵（magnetic bubble lattice）是固态存储技术中的专业术语，指磁性薄膜材料在外加垂直磁场作用下形成的规则排列圆柱形磁畴结构。其直径通常在微米量级，形似气泡，故称为"磁泡"，其有序排列构成点阵形态。

该技术的物理机制基于铁氧体或石榴石晶体薄膜的磁各向异性特性。当垂直于膜面的偏置磁场达到特定强度时，磁畴会收缩形成孤立柱状磁泡。通过控制局部磁场，可实现磁泡的产生、移动和检测，每个磁泡代表二进制数据的1或0。

在工程应用中，磁泡存储器具有非易失性、抗辐射和机械振动等优点，曾被用于航天器存储系统和工业控制设备。美国贝尔实验室在1967年率先观察到该现象，日本电气公司在1970年代开发出实用化磁泡存储器模块，存储密度达到1Mb/in²量级。

当前该技术虽已被闪存等新型存储介质取代，但其物理原理仍被应用于自旋电子学研究中。美国国家标准技术研究院（NIST）近年研究发现，磁泡点阵的动态特性可为拓扑磁存储器研发提供新思路。

磁泡点阵是一种基于磁性材料特殊结构的物理现象，主要应用于早期计算机存储技术。以下是其核心要点：

基本定义
磁泡（Magnetic Bubble）指在外加垂直磁场作用下，磁性材料中形成的圆柱状磁畴结构，其截面呈圆形，形似“气泡”。而“点阵”（Lattice）表示这些磁泡在材料表面按规则排列形成的阵列结构。
结构与形成条件
- 需要特定磁性材料（如钆镓石榴石薄膜），其磁化方向垂直于表面。
- 当外加磁场强度达到临界值时，原本杂乱的磁畴会收缩为孤立圆柱形磁泡，并自发排列成周期性点阵。
- 磁场强度和材料厚度是影响磁泡尺寸和稳定性的关键因素。
应用领域
主要用于20世纪70-80年代的磁泡存储器（Bubble Lattice File），通过控制磁泡的生成、移动与消失实现数据存储。其优势包括非易失性、抗辐射等，但后被半导体存储器取代。
物理机制补充
磁泡的产生与材料内部磁各向异性有关，磁畴边界（畴壁）的能态变化导致磁泡形成。点阵排列则源于磁泡间的相互作用力平衡。

注：由于相关资料来源较早且权威性有限，建议通过学术文献进一步验证技术细节。