磁泡導向通道英文解釋翻譯、磁泡導向通道的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bubble guide channel

分詞翻譯：

磁泡的英語翻譯：

【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

向的英語翻譯：

always; at; be partial to; direction; face; out; to; toward
【醫】 ad-; ak-; ob-

通道的英語翻譯：

byway; channel; dypass; gangway; gate; passage
【計】 C; CH; path way
【化】 gangway; passage
【醫】 passage

專業解析

磁泡導向通道（英文：Magnetic Bubble Guided Channel）是磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory）技術中的核心結構之一。它指的是在磁性薄膜（通常是石榴石薄膜）上，通過特定工藝（如光刻、離子注入或沉積）形成的物理或磁性的路徑或溝道，用于引導和控制磁泡（Magnetic Bubble）的定向移動。

詳細解釋：

磁泡（Magnetic Bubble）：
- 在垂直磁化的單晶薄膜（如钇鐵石榴石 YIG 或替代材料）中，在垂直于膜面的外磁場作用下，薄膜的磁疇會形成圓柱狀的磁化區域。這些圓柱狀磁疇的磁化方向與周圍區域相反，在顯微鏡下觀察呈泡狀，故稱為“磁泡”。
- 磁泡的存在（通常代表二進制“1”）與消失（代表“0”）或位置變化可用于存儲信息。
導向（Guided）：
- 導向是指控制和引導磁泡沿着預定的路徑運動。磁泡本身不會自發地沿特定路徑移動，需要外部機制進行控制。
通道（Channel）：
- 通道是實現“導向”功能的具體物理結構。它是在磁性薄膜表面制作的特定圖案：
  - 物理結構：通常是通過光刻和刻蝕技術在磁性薄膜上形成凸起的坡莫合金（Permalloy, NiFe合金）條帶、T形或Y形結等結構。這些結構在施加旋轉磁場時會産生局部磁場梯度。
  - 磁性結構：也可以通過離子注入等方式改變薄膜局部區域的磁性能（如矯頑力、磁各向異性），形成磁性能不同的區域作為邊界或路徑。
- 這些圖案化的結構構成了磁泡運動的“軌道”或“通道”。
工作原理：
- 在磁泡存儲器工作時，會在平行于薄膜平面的方向上施加一個旋轉磁場。
- 坡莫合金條帶等結構在旋轉磁場的作用下，其端部會産生變化的磁場梯度（磁極）。
- 磁泡會被吸引到這些梯度場較強的位置（例如條帶的端部）。
- 隨着旋轉磁場的轉動，條帶端部的強場位置也隨之移動，從而“拖拽”着磁泡沿着條帶（即通道）向前移動。
- T形結、Y形結等結構則用于實現磁泡的傳輸、複制、檢測（讀取）和擦除（消滅）等邏輯功能。

功能與重要性：

磁泡導向通道是磁泡存儲器實現信息存儲、傳輸和邏輯操作的基礎。它決定了磁泡在芯片上的移動路徑、存儲單元的布局以及信息的讀寫方式。通過精心設計的通道網絡（類似于集成電路的導線），可以實現數據的串行存取和特定的存儲架構（如主次環結構）。

來源參考：

磁泡存儲器基本原理與技術：相關描述基于磁泡存儲器的經典工作原理，可參考固态存儲技術、磁學或計算機存儲器領域的專業教材或綜述文獻，例如 IEEE 期刊中關于磁泡存儲器的曆史論文（如 IEEE Transactions on Magnetics）。具體鍊接需根據最新可訪問的學術數據庫（如 IEEE Xplore）檢索獲得。
石榴石薄膜與坡莫合金結構：關于材料與結構的描述，可參考材料科學或磁性材料領域的資料，如美國物理聯合會（AIP）出版社的相關出版物或經典教材《Introduction to Magnetic Materials》。

網絡擴展解釋

關于“磁泡導向通道”這一術語，目前未檢索到直接的文獻或權威定義。結合磁泡存儲器相關技術背景，推測其含義如下：

基礎概念
- 磁泡（Magnetic Bubble）：指在磁性薄膜材料（如石榴石晶體）中形成的微小圓柱形磁疇，通過外加磁場可控制其存在或消失，用于二進制數據存儲（0和1）。
- 導向通道（Guided Path）：可能指材料中預設的物理結構（如溝槽、磁疇圖案）或磁場分布，用于引導磁泡沿特定路徑移動，實現數據的定位與傳輸。
工作機制在磁泡存儲器中，導向通道通過以下方式運作：
- 材料表面刻蝕的物理凹槽或磁疇排列形成固定路徑
- 外部旋轉磁場驅動磁泡沿通道移動
- 檢測器通過磁阻效應讀取磁泡位置完成數據識别
技術特點
- 非易失性存儲，斷電數據不丢失
- 無機械部件，可靠性高于磁盤存儲
- 存取速度介于半導體存儲與磁盤之間（1970年代水平）
曆史背景該技術曾在20世紀70-80年代應用于航天、軍工等特殊領域，後因半導體存儲器（如DRAM、Flash）的快速發展而被取代。現代存儲技術中已無實際應用。

由于缺乏具體文獻支持，以上解釋基于磁泡存儲器原理推導。如需精确技術細節，建議查閱IEEE 1970-1990年間關于Magnetic Bubble Memory的原始論文或專利文件。