磁泡导向通道英文解释翻译、磁泡导向通道的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bubble guide channel

分词翻译：

磁泡的英语翻译：

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

导的英语翻译：

guide; lead; teach; transmit
【医】 guidance; guide

向的英语翻译：

always; at; be partial to; direction; face; out; to; toward
【医】 ad-; ak-; ob-

通道的英语翻译：

byway; channel; dypass; gangway; gate; passage
【计】 C; CH; path way
【化】 gangway; passage
【医】 passage

专业解析

磁泡导向通道（英文：Magnetic Bubble Guided Channel）是磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）技术中的核心结构之一。它指的是在磁性薄膜（通常是石榴石薄膜）上，通过特定工艺（如光刻、离子注入或沉积）形成的物理或磁性的路径或沟道，用于引导和控制磁泡（Magnetic Bubble）的定向移动。

详细解释：

磁泡（Magnetic Bubble）：
- 在垂直磁化的单晶薄膜（如钇铁石榴石 YIG 或替代材料）中，在垂直于膜面的外磁场作用下，薄膜的磁畴会形成圆柱状的磁化区域。这些圆柱状磁畴的磁化方向与周围区域相反，在显微镜下观察呈泡状，故称为“磁泡”。
- 磁泡的存在（通常代表二进制“1”）与消失（代表“0”）或位置变化可用于存储信息。
导向（Guided）：
- 导向是指控制和引导磁泡沿着预定的路径运动。磁泡本身不会自发地沿特定路径移动，需要外部机制进行控制。
通道（Channel）：
- 通道是实现“导向”功能的具体物理结构。它是在磁性薄膜表面制作的特定图案：
  - 物理结构：通常是通过光刻和刻蚀技术在磁性薄膜上形成凸起的坡莫合金（Permalloy, NiFe合金）条带、T形或Y形结等结构。这些结构在施加旋转磁场时会产生局部磁场梯度。
  - 磁性结构：也可以通过离子注入等方式改变薄膜局部区域的磁性能（如矫顽力、磁各向异性），形成磁性能不同的区域作为边界或路径。
- 这些图案化的结构构成了磁泡运动的“轨道”或“通道”。
工作原理：
- 在磁泡存储器工作时，会在平行于薄膜平面的方向上施加一个旋转磁场。
- 坡莫合金条带等结构在旋转磁场的作用下，其端部会产生变化的磁场梯度（磁极）。
- 磁泡会被吸引到这些梯度场较强的位置（例如条带的端部）。
- 随着旋转磁场的转动，条带端部的强场位置也随之移动，从而“拖拽”着磁泡沿着条带（即通道）向前移动。
- T形结、Y形结等结构则用于实现磁泡的传输、复制、检测（读取）和擦除（消灭）等逻辑功能。

功能与重要性：

磁泡导向通道是磁泡存储器实现信息存储、传输和逻辑操作的基础。它决定了磁泡在芯片上的移动路径、存储单元的布局以及信息的读写方式。通过精心设计的通道网络（类似于集成电路的导线），可以实现数据的串行存取和特定的存储架构（如主次环结构）。

来源参考：

磁泡存储器基本原理与技术：相关描述基于磁泡存储器的经典工作原理，可参考固态存储技术、磁学或计算机存储器领域的专业教材或综述文献，例如 IEEE 期刊中关于磁泡存储器的历史论文（如 IEEE Transactions on Magnetics）。具体链接需根据最新可访问的学术数据库（如 IEEE Xplore）检索获得。
石榴石薄膜与坡莫合金结构：关于材料与结构的描述，可参考材料科学或磁性材料领域的资料，如美国物理联合会（AIP）出版社的相关出版物或经典教材《Introduction to Magnetic Materials》。

网络扩展解释

关于“磁泡导向通道”这一术语，目前未检索到直接的文献或权威定义。结合磁泡存储器相关技术背景，推测其含义如下：

基础概念
- 磁泡（Magnetic Bubble）：指在磁性薄膜材料（如石榴石晶体）中形成的微小圆柱形磁畴，通过外加磁场可控制其存在或消失，用于二进制数据存储（0和1）。
- 导向通道（Guided Path）：可能指材料中预设的物理结构（如沟槽、磁畴图案）或磁场分布，用于引导磁泡沿特定路径移动，实现数据的定位与传输。
工作机制在磁泡存储器中，导向通道通过以下方式运作：
- 材料表面刻蚀的物理凹槽或磁畴排列形成固定路径
- 外部旋转磁场驱动磁泡沿通道移动
- 检测器通过磁阻效应读取磁泡位置完成数据识别
技术特点
- 非易失性存储，断电数据不丢失
- 无机械部件，可靠性高于磁盘存储
- 存取速度介于半导体存储与磁盘之间（1970年代水平）
历史背景该技术曾在20世纪70-80年代应用于航天、军工等特殊领域，后因半导体存储器（如DRAM、Flash）的快速发展而被取代。现代存储技术中已无实际应用。

由于缺乏具体文献支持，以上解释基于磁泡存储器原理推导。如需精确技术细节，建议查阅IEEE 1970-1990年间关于Magnetic Bubble Memory的原始论文或专利文件。