磁泡導體傳輸英文解釋翻譯、磁泡導體傳輸的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 conductor propagation of bubble

分詞翻譯：

磁泡的英語翻譯：

【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

導體的英語翻譯：

conductor
【化】 conductor
【醫】 conductor

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

專業解析

磁泡導體傳輸（Magnetic Bubble Conductor Transmission）是一個特定于磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory, MBM）技術領域的專業術語。以下從漢英詞典及技術原理角度進行詳細解釋：

一、術語釋義

磁泡 (Magnetic Bubble)
指在特定磁性薄膜（如正鐵氧體石榴石）中，在外加垂直磁場作用下形成的圓柱形磁疇。其磁化方向與周圍區域相反，在偏光顯微鏡下呈現為移動的"氣泡"狀結構。該術語由貝爾實驗室于1960年代提出，用于描述可存儲二進制數據的微小磁化區域。
導體傳輸 (Conductor Transmission)
指通過控制導體電流産生的局部磁場，驅動磁泡在薄膜中有序移動的過程。傳輸路徑由坡莫合金等軟磁材料制成的T/I棒狀電路構成，通過時序電流脈沖實現磁泡的位置控制。

二、工作原理

磁泡導體傳輸的核心是通過平面導體陣列實現數據遷移：

寫入：外部電流脈沖在導體交叉點生成磁場，誘導局部磁疇反轉形成磁泡（代表數據"1"）。
傳輸：相鄰導體順序通電産生移動磁場梯度，驅動磁泡沿預設路徑（如閉環移位寄存器）步進移動。
讀取：磁泡經過磁阻檢測器時引起電阻變化，轉換為電信號輸出。

三、技術特性

參數	典型值	作用
磁泡直徑	1-10 μm	決定存儲密度
傳輸速度	100-1000 kbps	數據遷移速率
驅動場強	10-50 Oe	維持磁泡穩定性

四、應用與演進

該技術曾應用于1970-80年代的抗震動存儲設備（如工業控制系統、航天記錄儀），因半導體存儲器發展而逐漸淘汰。現代自旋電子學中的磁疇壁位移存儲器可視為其衍生技術。

注：當前主流存儲技術已轉向閃存與MRAM，但磁泡存儲器在非易失性、抗輻射方面的特性仍具研究價值（IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 48, 2012）。

參考文獻

Chen, T. Magnetic Bubble Technology. Springer, 1981 (Chapter 3)
IEEE Magnetics Society. Magnetic Bubble Memory Tutorial. 1985
O'Dell, T. Magnetic Bubbles. Macmillan, 1974
Parkin, S.S.P. "Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory" Science 320(5873), 2008

網絡擴展解釋

“磁泡導體傳輸”是一個涉及磁泡存儲技術的專業術語，其核心概念結合了磁泡、導體和傳輸三個要素。以下為詳細解釋：

一、術語分解

磁泡（Magnetic Bubble）
指磁性材料薄膜中形成的圓柱形磁疇，其磁化方向與周圍區域相反，形似“氣泡”。這種結構可通過外加磁場控制移動，用于表示二進制數據（存在為1，消失為0）。
導體（Conductor）
指能夠傳輸電流或熱能的物質（如金屬薄膜）。在磁泡技術中，導體層通常用于施加電流以産生控制磁泡運動的磁場。
傳輸（Propagation）
指通過物理機制驅動磁泡在介質中有序移動的過程。

二、整體機制

在磁泡存儲器中，導體層通過電流産生局部磁場梯度，從而推動磁泡沿預設路徑移動。例如，薄膜上的導體導線通電後，會在磁泡材料中形成磁場變化，使磁泡受磁力作用發生位移，實現數據存儲與讀取。

三、技術應用

該技術曾用于20世紀70年代的磁泡存儲器，具有非易失性、抗輻射等優點，但後被半導體存儲器取代。其原理仍對現代自旋電子學等領域有參考價值。

如需進一步了解具體電路設計或磁場公式，可參考相關物理文獻或磁存儲技術專著。