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磁泡导体传输英文解释翻译、磁泡导体传输的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【计】 conductor propagation of bubble

分词翻译:

磁泡的英语翻译:

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

导体的英语翻译:

conductor
【化】 conductor
【医】 conductor

传输的英语翻译:

transmission; transmit
【计】 transfers; transmission; transput; X; XFER

专业解析

磁泡导体传输(Magnetic Bubble Conductor Transmission)是一个特定于磁泡存储器(Magnetic Bubble Memory, MBM)技术领域的专业术语。以下从汉英词典及技术原理角度进行详细解释:

一、术语释义

  1. 磁泡 (Magnetic Bubble)

    指在特定磁性薄膜(如正铁氧体石榴石)中,在外加垂直磁场作用下形成的圆柱形磁畴。其磁化方向与周围区域相反,在偏光显微镜下呈现为移动的"气泡"状结构。该术语由贝尔实验室于1960年代提出,用于描述可存储二进制数据的微小磁化区域。

  2. 导体传输 (Conductor Transmission)

    指通过控制导体电流产生的局部磁场,驱动磁泡在薄膜中有序移动的过程。传输路径由坡莫合金等软磁材料制成的T/I棒状电路构成,通过时序电流脉冲实现磁泡的位置控制。

二、工作原理

磁泡导体传输的核心是通过平面导体阵列实现数据迁移:

  1. 写入:外部电流脉冲在导体交叉点生成磁场,诱导局部磁畴反转形成磁泡(代表数据"1")。
  2. 传输:相邻导体顺序通电产生移动磁场梯度,驱动磁泡沿预设路径(如闭环移位寄存器)步进移动。
  3. 读取:磁泡经过磁阻检测器时引起电阻变化,转换为电信号输出。

三、技术特性

参数 典型值 作用
磁泡直径 1-10 μm 决定存储密度
传输速度 100-1000 kbps 数据迁移速率
驱动场强 10-50 Oe 维持磁泡稳定性

四、应用与演进

该技术曾应用于1970-80年代的抗震动存储设备(如工业控制系统、航天记录仪),因半导体存储器发展而逐渐淘汰。现代自旋电子学中的磁畴壁位移存储器可视为其衍生技术。

注:当前主流存储技术已转向闪存与MRAM,但磁泡存储器在非易失性、抗辐射方面的特性仍具研究价值(IEEE Transactions on Magnetics, Vol. 48, 2012)。


参考文献

  1. Chen, T. Magnetic Bubble Technology. Springer, 1981 (Chapter 3)
  2. IEEE Magnetics Society. Magnetic Bubble Memory Tutorial. 1985
  3. O'Dell, T. Magnetic Bubbles. Macmillan, 1974
  4. Parkin, S.S.P. "Magnetic Domain-Wall Racetrack Memory" Science 320(5873), 2008

网络扩展解释

“磁泡导体传输”是一个涉及磁泡存储技术的专业术语,其核心概念结合了磁泡、导体和传输三个要素。以下为详细解释:

一、术语分解

  1. 磁泡(Magnetic Bubble)
    指磁性材料薄膜中形成的圆柱形磁畴,其磁化方向与周围区域相反,形似“气泡”。这种结构可通过外加磁场控制移动,用于表示二进制数据(存在为1,消失为0)。

  2. 导体(Conductor)
    指能够传输电流或热能的物质(如金属薄膜)。在磁泡技术中,导体层通常用于施加电流以产生控制磁泡运动的磁场。

  3. 传输(Propagation)
    指通过物理机制驱动磁泡在介质中有序移动的过程。

二、整体机制

在磁泡存储器中,导体层通过电流产生局部磁场梯度,从而推动磁泡沿预设路径移动。例如,薄膜上的导体导线通电后,会在磁泡材料中形成磁场变化,使磁泡受磁力作用发生位移,实现数据存储与读取。

三、技术应用

该技术曾用于20世纪70年代的磁泡存储器,具有非易失性、抗辐射等优点,但后被半导体存储器取代。其原理仍对现代自旋电子学等领域有参考价值。

如需进一步了解具体电路设计或磁场公式,可参考相关物理文献或磁存储技术专著。

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