磁膜存儲器英文解釋翻譯、磁膜存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 magnetic film memory; thin-film memory

【計】 magnetic thin film

storage; store
【計】 M; memorizer; S

磁膜存儲器（Magnetic Thin-Film Memory）是采用磁性薄膜材料作為存儲介質的一種非易失性存儲器。其核心原理是通過控制薄膜磁化方向實現二進制數據的寫入與讀取。該技術廣泛應用于早期計算機系統和航空航天領域的高可靠性存儲設備。

技術特征與工作機制

工程應用

性能參數

典型磁膜存儲單元密度可達4Kb/cm²，工作溫度範圍-55℃至+125℃，抗輻射性能優于半導體存儲器。該技術為後續磁泡存儲器、MRAM技術的發展奠定了材料學基礎。

（參考來源：IEEE磁學彙刊1998年刊；NASA技術報告1965；Springer材料工程手冊；中國計算機發展史）

磁膜存儲器是一種早期的計算機存儲設備，其核心原理是通過磁性薄膜材料實現數據存儲。以下是綜合解釋：

基本定義
磁膜存儲器屬于磁性存儲介質，利用磁性薄膜的磁化狀态記錄二進制數據。其名稱中的"磁膜"指代極薄的磁性材料層（通常為納米級厚度），通過改變局部區域的磁化方向實現信息存儲。
英文翻譯
主要譯法包括：
- Magnetic-film memory（通用譯法）
- Thin-film memory（強調薄膜特性）
- Film store（簡略表達）
技術原理
通過電磁感應改變磁膜特定區域的磁化方向（如水平或垂直方向），用不同磁化狀态代表0和1。讀取時通過檢測磁場變化轉化為電信號。這類存儲器的讀寫速度較傳統磁盤更快，但容量相對較小。
應用場景
主要應用于早期計算機系統（如20世紀60-80年代），常見于需要快速存取的小型存儲模塊，例如某些專用設備的緩存或寄存器。隨着半導體存儲技術的發展，現已逐步被DRAM、Flash等替代。
發展現狀
雖然已非主流技術，但磁膜材料的研究仍在持續，其原理對現代磁阻存儲器（MRAM）和自旋電子器件的發展具有啟發意義。