磁膜存储器英文解释翻译、磁膜存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 magnetic film memory; thin-film memory

【计】 magnetic thin film

storage; store
【计】 M; memorizer; S

磁膜存储器（Magnetic Thin-Film Memory）是采用磁性薄膜材料作为存储介质的一种非易失性存储器。其核心原理是通过控制薄膜磁化方向实现二进制数据的写入与读取。该技术广泛应用于早期计算机系统和航空航天领域的高可靠性存储设备。

技术特征与工作机制

工程应用

性能参数

典型磁膜存储单元密度可达4Kb/cm²，工作温度范围-55℃至+125℃，抗辐射性能优于半导体存储器。该技术为后续磁泡存储器、MRAM技术的发展奠定了材料学基础。

（参考来源：IEEE磁学汇刊1998年刊；NASA技术报告1965；Springer材料工程手册；中国计算机发展史）

磁膜存储器是一种早期的计算机存储设备，其核心原理是通过磁性薄膜材料实现数据存储。以下是综合解释：

基本定义
磁膜存储器属于磁性存储介质，利用磁性薄膜的磁化状态记录二进制数据。其名称中的"磁膜"指代极薄的磁性材料层（通常为纳米级厚度），通过改变局部区域的磁化方向实现信息存储。
英文翻译
主要译法包括：
- Magnetic-film memory（通用译法）
- Thin-film memory（强调薄膜特性）
- Film store（简略表达）
技术原理
通过电磁感应改变磁膜特定区域的磁化方向（如水平或垂直方向），用不同磁化状态代表0和1。读取时通过检测磁场变化转化为电信号。这类存储器的读写速度较传统磁盘更快，但容量相对较小。
应用场景
主要应用于早期计算机系统（如20世纪60-80年代），常见于需要快速存取的小型存储模块，例如某些专用设备的缓存或寄存器。随着半导体存储技术的发展，现已逐步被DRAM、Flash等替代。
发展现状
虽然已非主流技术，但磁膜材料的研究仍在持续，其原理对现代磁阻存储器（MRAM）和自旋电子器件的发展具有启发意义。