傳輸門電路英文解釋翻譯、傳輸門電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transmission gate

分詞翻譯：

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

門電路的英語翻譯：

【計】 gate circuit

專業解析

傳輸門電路（Transmission Gate Circuit）是數字集成電路中的關鍵組件，其英文對應術語為“Transmission Gate”或“Pass Gate”。它由一對互補的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）組成，通常包含一個NMOS管和一個PMOS管并聯連接，通過栅極控制信號實現雙向導通或關斷。

核心特性與工作原理

結構組成：傳輸門采用NMOS與PMOS互補結構，NMOS負責傳遞低電平（0V至VDD-Vthn），PMOS負責傳遞高電平（Vthp至VDD），兩者并聯覆蓋全電壓範圍（0V至VDD）。
控制邏輯：通過互補控制信號（例如C和$overline{C}$）同步驅動NMOS和PMOS的栅極，實現導通（低阻态）或關斷（高阻态）。導通電阻典型值為數百歐姆，關斷阻抗可達兆歐級别。
信號完整性：相較于單一MOS傳輸管，傳輸門能避免阈值電壓損失，在CMOS工藝中可無損傳遞全擺幅邏輯電平。

應用場景

多路選擇器（Multiplexer）中的信號切換
動态存儲器單元的讀寫控制
可編程邏輯器件（如FPGA）的互連網絡
開關電容電路中的模拟信號處理

權威參考文獻

《CMOS超大規模集成電路設計》（Weste, Harris）第四章詳細論述傳輸門的瞬态特性與版圖設計原則。
IEEE固态電路期刊論文《Analysis of Transmission Gate Switching Behavior》量化分析了傳輸門在不同工藝節點下的動态功耗模型。
清華大學《微電子器件與電路》教材中提供傳輸門SPICE仿真案例及噪聲容限計算方法。

網絡擴展解釋

傳輸門電路（Transmission Gate，簡稱TG）是一種基于CMOS技術的特殊開關電路，主要用于信號傳輸。以下是其核心要點：

一、基本結構與組成

傳輸門由P溝道MOSFET和N溝道MOSFET并聯構成，兩者互補工作。這種結構結合了兩種MOS管的優勢：NMOS管在傳輸低電平時導通性能好，PMOS管在傳輸高電平時導通性能更優，從而實現全電壓範圍的低損耗傳輸。

二、工作原理

導通狀态：當控制端施加有效電平（通常NMOS栅極接高電平，PMOS栅極接低電平）時，兩管同時導通，形成低電阻通路（約幾百歐姆），允許模拟或數字信號雙向傳輸。
截止狀态：控制端電平無效時，兩管均關閉，呈現極高電阻（>10⁹Ω），信號路徑被切斷。

三、核心特點

雙向傳輸：信號可雙向流動，適用于多路複用等場景。
低失真：導通電阻小，對信號衰減影響微弱，適合模拟信號傳輸。
寬電壓兼容：支持從地到電源電壓的全範圍信號傳輸。

四、主要應用

數字電路：作為基礎單元構建數據選擇器、觸發器、異或門等邏輯電路。
模拟電路：
- 模數/數模轉換（ADC/DAC）中的信號切換；
- 采樣保持電路、斬波電路中的信號隔離與傳輸。
信號隔離：快速切換多路信號，減少電路闆面積占用。

五、補充說明

傳輸門在集成電路設計中具有重要地位，其低功耗和高集成度特性使其廣泛應用于現代電子系統。實際使用時需注意控制信號的同步性，避免兩管同時不完全導通導緻的功耗問題。