传输门电路英文解释翻译、传输门电路的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transmission gate

分词翻译：

传输的英语翻译：

transmission; transmit
【计】 transfers; transmission; transput; X; XFER

门电路的英语翻译：

【计】 gate circuit

专业解析

传输门电路（Transmission Gate Circuit）是数字集成电路中的关键组件，其英文对应术语为“Transmission Gate”或“Pass Gate”。它由一对互补的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成，通常包含一个NMOS管和一个PMOS管并联连接，通过栅极控制信号实现双向导通或关断。

核心特性与工作原理

结构组成：传输门采用NMOS与PMOS互补结构，NMOS负责传递低电平（0V至VDD-Vthn），PMOS负责传递高电平（Vthp至VDD），两者并联覆盖全电压范围（0V至VDD）。
控制逻辑：通过互补控制信号（例如C和$overline{C}$）同步驱动NMOS和PMOS的栅极，实现导通（低阻态）或关断（高阻态）。导通电阻典型值为数百欧姆，关断阻抗可达兆欧级别。
信号完整性：相较于单一MOS传输管，传输门能避免阈值电压损失，在CMOS工艺中可无损传递全摆幅逻辑电平。

应用场景

多路选择器（Multiplexer）中的信号切换
动态存储器单元的读写控制
可编程逻辑器件（如FPGA）的互连网络
开关电容电路中的模拟信号处理

权威参考文献

《CMOS超大规模集成电路设计》（Weste, Harris）第四章详细论述传输门的瞬态特性与版图设计原则。
IEEE固态电路期刊论文《Analysis of Transmission Gate Switching Behavior》量化分析了传输门在不同工艺节点下的动态功耗模型。
清华大学《微电子器件与电路》教材中提供传输门SPICE仿真案例及噪声容限计算方法。

网络扩展解释

传输门电路（Transmission Gate，简称TG）是一种基于CMOS技术的特殊开关电路，主要用于信号传输。以下是其核心要点：

一、基本结构与组成

传输门由P沟道MOSFET和N沟道MOSFET并联构成，两者互补工作。这种结构结合了两种MOS管的优势：NMOS管在传输低电平时导通性能好，PMOS管在传输高电平时导通性能更优，从而实现全电压范围的低损耗传输。

二、工作原理

导通状态：当控制端施加有效电平（通常NMOS栅极接高电平，PMOS栅极接低电平）时，两管同时导通，形成低电阻通路（约几百欧姆），允许模拟或数字信号双向传输。
截止状态：控制端电平无效时，两管均关闭，呈现极高电阻（>10⁹Ω），信号路径被切断。

三、核心特点

双向传输：信号可双向流动，适用于多路复用等场景。
低失真：导通电阻小，对信号衰减影响微弱，适合模拟信号传输。
宽电压兼容：支持从地到电源电压的全范围信号传输。

四、主要应用

数字电路：作为基础单元构建数据选择器、触发器、异或门等逻辑电路。
模拟电路：
- 模数/数模转换（ADC/DAC）中的信号切换；
- 采样保持电路、斩波电路中的信号隔离与传输。
信号隔离：快速切换多路信号，减少电路板面积占用。

五、补充说明

传输门在集成电路设计中具有重要地位，其低功耗和高集成度特性使其广泛应用于现代电子系统。实际使用时需注意控制信号的同步性，避免两管同时不完全导通导致的功耗问题。