渡越時間英文解釋翻譯、渡越時間的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【計】 transition time
分詞翻譯:
渡的英語翻譯:
cross a river; ferry; pull through
越的英語翻譯:
be at a high pitch; exceed; get over
【醫】 trans-
時間的英語翻譯:
hour; time; when; while
【化】 time
【醫】 tempo-; time
【經】 time
專業解析
在電子工程與物理學領域,"渡越時間"(英文:Transit Time)指電荷載流子(如電子或空穴)穿越半導體器件特定區域所需的時間,或電磁波/信號通過介質或電路路徑的傳播時間。該參數對高頻器件(如晶體管、二極管)及光電器件的響應速度與效率至關重要。以下是具體解析:
一、核心定義與物理機制
-
載流子渡越時間
在半導體器件(如PN結二極管、BJT晶體管)中,指載流子從注入端運動到收集端的耗時。例如:
-
電磁波渡越時間
指電磁信號通過傳輸線或介質的傳播延遲。例如:
- 射頻電路:信號在微帶線中的延遲 ( t_d = frac{L}{v_p} )(( L ) 為長度,( v_p ) 為相速度)。
- 光電器件:光子通過光纖的傳播時間影響通信系統的時序精度。
二、影響因素與工程意義
- 材料與結構:半導體摻雜濃度、器件幾何尺寸(如基區寬度)直接改變渡越時間。SiGe異質結晶體管通過能帶設計減少基區渡越時間,提升截止頻率。
- 頻率限制:渡越時間 ( taut ) 與器件最高工作頻率 ( f{text{max}} ) 成反比,滿足 ( f_{text{max}} propto frac{1}{tau_t} ) 。
- 噪聲特性:在雪崩光電二極管(APD)中,渡越時間分散(TTD)是限制檢測帶寬的關鍵因素。
三、典型應用場景
- 高速半導體器件
- 場效應晶體管(FET)中栅極下方溝道的載流子渡越時間決定開關速度(參考:S.M. Sze《半導體器件物理》)。
- 真空電子器件
- 速調管、磁控管依賴電子束的精确渡越時間實現微波振蕩。
- 光電探測系統
- 光電二極管響應時間受光生載流子渡越時間制約(參考:R.J. McIntyre《雪崩光電二極管統計理論》)。
四、權威參考資料
- 學術著作
- S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley. [定義載流子輸運模型]
- R.J. Baker, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, Wiley-IEEE Press. [分析集成電路時序]
- 行業标準
- IEEE Standard 100《電氣與電子術語詞典》條目 "Transit Time" (标準號:IEEE Std 100-2000)。
- 研究文獻
- Kroemer H., "Theory of a Wide-Gap Emitter for Transistors", Proceedings of the IRE, 1957. [提出異質結減少渡越時間]
術語對照表
中文術語 |
英文術語 |
適用領域 |
渡越時間 |
Transit Time |
半導體物理/微波工程 |
載流子渡越時間 |
Carrier Transit Time |
晶體管設計 |
信號傳播延遲 |
Signal Propagation Delay |
射頻電路 |
光子飛行時間 |
Time of Flight (ToF) |
激光測距/光學傳感 |
網絡擴展解釋
渡越時間是電子工程和物理學中的專業術語,指載流子(如電子或空穴)或信號通過特定區域所需的時間。以下是不同領域的詳細解釋:
一、半導體器件中的渡越時間
-
雙極型晶體管
少數載流子(如基區中的電子)從中性基區一端移動到另一端所需的時間,稱為基區渡越時間(τB)。其計算公式為:
- 均勻基區晶體管:
$$tau_B = frac{W}{2D_n}$$
((W)為基區寬度,(D_n)為擴散系數)
- 緩變基區晶體管:
$$tau_B = frac{W}{eta D_n} quad (eta > 2)$$
緩變基區因存在内建電場,載流子遷移更快,因此η為修正系數。
-
半導體材料中的通用定義
假設載流子以相同時間通過某段材料,該時間即為渡越時間(τ)。例如,電子從材料左端移動到右端的時間,直接影響器件的響應速度。
二、其他技術領域的應用
- 真空微納電子器件
電子在電極間運動的時間稱為渡越時間,需通過拉普拉斯方程估算電位分布,影響器件的高頻性能。
- 超聲測距技術
通過發射僞隨機序列信號,計算發射與接收信號的相位差(即渡越時間),結合聲速可測量距離。
三、一般語境中的含義
“渡越”一詞在漢語中意為跨越或超越(如“渡越困難”),但在技術場景中特指物理過程的時間量。需注意區分日常用語與專業術語的差異。
如需進一步了解具體公式推導或應用案例,可參考半導體物理或微波器件的專業文獻。
分類
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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