逆偏壓英文解釋翻譯、逆偏壓的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【電】 reverse blas
分詞翻譯：
逆的英語翻譯：
athwart; contradictorily; counter; disobey; go against; inverse
【醫】 contra-
偏壓的英語翻譯：
【電】 bias; bias voltage
專業解析
逆偏壓（Reverse Bias）是電子工程與半導體物理中的核心術語，指在半導體器件（如二極管、晶體管）的PN結上施加外部電壓時的一種特定極性狀态。其漢英對照定義及技術内涵如下：
一、基礎定義
- 中文釋義：逆偏壓指将電源正極連接N型半導體、負極連接P型半導體的電壓施加方式。此時PN結的耗盡層增寬，阻礙多數載流子擴散，形成極小反向電流（漏電流）。
- 英文對照：Reverse Bias describes a voltage configuration where the positive terminal connects to the N-region and the negative terminal to the P-region, widening the depletion region and suppressing current flow except for minimal leakage.
二、物理機制與特性
-
耗盡層擴展
逆偏壓下，外電場與内建電場同向，導緻耗盡層寬度（$W$）增大，符合公式：
$$
W = sqrt{frac{2epsilon(V_{bi}+V_R)}{q}left(frac{1}{N_A}+frac{1}{N_D}right)}
$$
其中 $VR$ 為反向電壓，$V{bi}$ 為内建電勢，$N_A$、$N_D$ 分别為受主與施主濃度。
-
電流特性
反向飽和電流 $I_S$ 主要由少數載流子漂移形成，其值極小且近似恒定：
$$
I approx -I_S quad (|V_R| gg kT/q)
$$
溫度每升高10°C，$I_S$ 約增大1倍。
三、應用場景與影響
- 整流作用：二極管在逆偏壓下阻斷交流電的負半周，實現AC-DC轉換（來源：IEEE标準術語庫）。
- 器件保護：MOSFET的體二極管需避免反向導通，防止寄生晶體管效應引發失效（來源：安森美半導體應用指南）。
- 電容效應：變容二極管利用逆偏壓調節耗盡層電容，用于調諧電路（來源：美國國家半導體技術路線圖）。
四、工程注意事項
- 擊穿風險：過高的逆偏壓可能導緻雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）或齊納擊穿（Zener Breakdown），需限制在器件額定值内。
- 溫度依賴性：反向漏電流隨溫度指數級增長，高溫環境需降額設計（來源：IEEE可靠性手冊）。
權威參考來源：
- 康奈爾大學半導體器件基礎講義
- IEEE電子術語标準
- 安森美二極管應用指南
網絡擴展解釋
逆偏壓（又稱反向偏壓或逆向偏壓）是半導體器件（如二極管、三極管）工作時的一種電壓施加方式。以下是綜合解釋：
1. 定義與機制
當PN結的P區接電源負極、N區接正極時，形成逆偏壓。此時外電場方向與PN結内建電場方向相同，導緻耗盡層寬度增大，阻礙多數載流子擴散，僅有極小的反向飽和電流（漏電流）通過。
2. 對器件的影響
- 二極管：逆偏壓下幾乎不導通（理想情況下為斷路），但實際存在微安級漏電流。
- 三極管：集電結需逆偏壓以形成強電場，便于收集從發射區擴散到基區的載流子，從而實現放大功能。
3. 應用場景
- 整流電路中的反向截止狀态
- 三極管放大電路中的集電結工作條件
- 光電二極管的光探測模式（利用逆偏壓下的光生電流）
注意事項
過高的逆偏壓可能引發雪崩擊穿或齊納擊穿，需根據器件參數限制電壓範圍。實際應用中需結合正向/反向偏壓特性設計電路。
分類
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
别人正在浏覽...
不正當的行為晨禱除離子達馬酸單元優先策略單株冷球蛋白大小體聯胎畸胎骶部蒽烷二氯·二氨合鉑奮森氏線螺旋體構造性布局算法光聚合的好運漸成學說交感素敬酒名單昆特氏間隙藍羽扇豆油面粉糊密切裡希同晶現象定律母菊油耐不住的切斷術三角函數手摸着聖經宣誓跳的調整程式停頓投影矩陣
