逆偏压英文解释翻译、逆偏压的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【电】 reverse blas
分词翻译：
逆的英语翻译：
athwart; contradictorily; counter; disobey; go against; inverse
【医】 contra-
偏压的英语翻译：
【电】 bias; bias voltage
专业解析
逆偏压（Reverse Bias）是电子工程与半导体物理中的核心术语，指在半导体器件（如二极管、晶体管）的PN结上施加外部电压时的一种特定极性状态。其汉英对照定义及技术内涵如下：
一、基础定义
- 中文释义：逆偏压指将电源正极连接N型半导体、负极连接P型半导体的电压施加方式。此时PN结的耗尽层增宽，阻碍多数载流子扩散，形成极小反向电流（漏电流）。
- 英文对照：Reverse Bias describes a voltage configuration where the positive terminal connects to the N-region and the negative terminal to the P-region, widening the depletion region and suppressing current flow except for minimal leakage.
二、物理机制与特性
-
耗尽层扩展
逆偏压下，外电场与内建电场同向，导致耗尽层宽度（$W$）增大，符合公式：
$$
W = sqrt{frac{2epsilon(V_{bi}+V_R)}{q}left(frac{1}{N_A}+frac{1}{N_D}right)}
$$
其中 $VR$ 为反向电压，$V{bi}$ 为内建电势，$N_A$、$N_D$ 分别为受主与施主浓度。
-
电流特性
反向饱和电流 $I_S$ 主要由少数载流子漂移形成，其值极小且近似恒定：
$$
I approx -I_S quad (|V_R| gg kT/q)
$$
温度每升高10°C，$I_S$ 约增大1倍。
三、应用场景与影响
- 整流作用：二极管在逆偏压下阻断交流电的负半周，实现AC-DC转换（来源：IEEE标准术语库）。
- 器件保护：MOSFET的体二极管需避免反向导通，防止寄生晶体管效应引发失效（来源：安森美半导体应用指南）。
- 电容效应：变容二极管利用逆偏压调节耗尽层电容，用于调谐电路（来源：美国国家半导体技术路线图）。
四、工程注意事项
- 击穿风险：过高的逆偏压可能导致雪崩击穿（Avalanche Breakdown）或齐纳击穿（Zener Breakdown），需限制在器件额定值内。
- 温度依赖性：反向漏电流随温度指数级增长，高温环境需降额设计（来源：IEEE可靠性手册）。
权威参考来源：
- 康奈尔大学半导体器件基础讲义
- IEEE电子术语标准
- 安森美二极管应用指南
网络扩展解释
逆偏压（又称反向偏压或逆向偏压）是半导体器件（如二极管、三极管）工作时的一种电压施加方式。以下是综合解释：
1. 定义与机制
当PN结的P区接电源负极、N区接正极时，形成逆偏压。此时外电场方向与PN结内建电场方向相同，导致耗尽层宽度增大，阻碍多数载流子扩散，仅有极小的反向饱和电流（漏电流）通过。
2. 对器件的影响
- 二极管：逆偏压下几乎不导通（理想情况下为断路），但实际存在微安级漏电流。
- 三极管：集电结需逆偏压以形成强电场，便于收集从发射区扩散到基区的载流子，从而实现放大功能。
3. 应用场景
- 整流电路中的反向截止状态
- 三极管放大电路中的集电结工作条件
- 光电二极管的光探测模式（利用逆偏压下的光生电流）
注意事项
过高的逆偏压可能引发雪崩击穿或齐纳击穿，需根据器件参数限制电压范围。实际应用中需结合正向/反向偏压特性设计电路。
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