
【電】 memory overlay
【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
fold; furl; pile up; repeat
【電】 overlay
layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum
内存疊層(Memory Stacking)是半導體領域的三維集成技術,指通過垂直堆疊多層存儲芯片提升性能與密度。該技術突破傳統平面布局限制,利用矽通孔(TSV)實現層間高速互聯。例如,高帶寬内存(HBM)采用内存疊層設計,将8-12個DRAM芯片堆疊在基礎邏輯芯片上,使帶寬達到傳統GDDR5的3倍以上(三星電子技術白皮書,2023)。
在漢英詞典中,"内存疊層"對應英文術語為"3D Stacked Memory"或"Memory Die Stacking",其核心特征包含:
該技術已應用于高性能計算領域,例如英偉達H100 GPU通過CoWoS封裝技術集成6個HBM3内存堆棧,總容量達80GB(英偉達官網産品文檔)。國際半導體标準化組織JEDEC在JESD235B規範中明确定義了堆疊内存的電氣特性與測試标準。
“内存疊層”這一表述可能存在術語混淆或誤用,但結合不同領域的解釋,可以分以下兩種情況理解:
在C/C++等語言中,内存重疊指兩個内存區域的地址範圍存在交叉,可能導緻數據操作異常。例如使用memcpy
函數時,若目标地址與源地址有重疊,可能引發數據覆蓋問題。
memmemmove
函數,因其能正确處理重疊區域。在Java繼承機制中,内存疊加指子類實例化時,先構造父類内存結構,再疊加子類特有屬性。例如:子類對象包含父類成員變量和自身新增變量,形成分層的内存布局。
建議根據具體場景使用更标準的術語(如“内存重疊”或“繼承内存模型”),以避免歧義。
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