
【电】 memory overlay
【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
fold; furl; pile up; repeat
【电】 overlay
layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum
内存叠层(Memory Stacking)是半导体领域的三维集成技术,指通过垂直堆叠多层存储芯片提升性能与密度。该技术突破传统平面布局限制,利用硅通孔(TSV)实现层间高速互联。例如,高带宽内存(HBM)采用内存叠层设计,将8-12个DRAM芯片堆叠在基础逻辑芯片上,使带宽达到传统GDDR5的3倍以上(三星电子技术白皮书,2023)。
在汉英词典中,"内存叠层"对应英文术语为"3D Stacked Memory"或"Memory Die Stacking",其核心特征包含:
该技术已应用于高性能计算领域,例如英伟达H100 GPU通过CoWoS封装技术集成6个HBM3内存堆栈,总容量达80GB(英伟达官网产品文档)。国际半导体标准化组织JEDEC在JESD235B规范中明确定义了堆叠内存的电气特性与测试标准。
“内存叠层”这一表述可能存在术语混淆或误用,但结合不同领域的解释,可以分以下两种情况理解:
在C/C++等语言中,内存重叠指两个内存区域的地址范围存在交叉,可能导致数据操作异常。例如使用memcpy
函数时,若目标地址与源地址有重叠,可能引发数据覆盖问题。
memmemmove
函数,因其能正确处理重叠区域。在Java继承机制中,内存叠加指子类实例化时,先构造父类内存结构,再叠加子类特有属性。例如:子类对象包含父类成员变量和自身新增变量,形成分层的内存布局。
建议根据具体场景使用更标准的术语(如“内存重叠”或“继承内存模型”),以避免歧义。
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