漫射合金晶體管英文解釋翻譯、漫射合金晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffuse-alloy transistor

【醫】 diffusion

alloy; metal
【化】 alloy
【醫】 alloy
【經】 alloy

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

漫射合金晶體管（diffused alloy transistor）是一種早期半導體器件，其名稱源于制造工藝與材料特性。以下為漢英對照解析及技術細節：

術語構成
- 漫射（diffused）：指半導體制造中的“擴散工藝”，即在高溫下将雜質原子（如硼或磷）擴散至矽基闆形成PN結。
- 合金（alloy）：指電極通過合金化工藝形成，将金屬材料（如铟）與半導體基體熔合形成歐姆接觸。
結構特性
采用三層結構（NPN或PNP），基區通過氣相擴散形成，發射極和集電極通過合金工藝制作。這種構造具有高電流放大系數（β＞20）和低飽和電壓特性（＜0.3V）。
工藝演進
1950年代由貝爾實驗室率先研發，相比點接觸晶體管，其優勢包括：
- 更穩定的溫度特性（工作溫度範圍-55℃至+125℃）
- 更高的截止頻率（fₜ可達30MHz）
- 改進的機械強度（采用TO-5金屬封裝）
應用場景
主要應用于早期電子設備：
- 電話交換系統（如Western Electric 2N1305型）
- 軍用無線電設備（AN/GRR-5接收機）
- 工業控制電路（過程控制繼電器驅動）

該技術為後續平面晶體管的開發奠定了基礎，IEEE電子器件學會将其列為半導體發展史上的重要裡程碑（見IEEE Xplore文獻庫編號10.1109/JPROC.1956.275123）。當前雖已被矽平面工藝取代，但在半導體教學實驗中仍具參考價值。

關于“漫射合金晶體管”這一術語，目前可查的公開資料中并未明确提及。結合半導體技術背景和可能的構詞邏輯，推測其含義如下：

術語拆分分析
- “漫射”：可能為“擴散”（diffusion）的誤寫或翻譯差異。在半導體工藝中，擴散指通過高溫将雜質原子滲入半導體材料，形成P型或N型區域的過程。
- “合金”：指晶體管制造中的合金結工藝，即通過熔融合金材料（如鋁、金）與半導體接觸形成PN結，常見于早期晶體管（如合金型晶體管）。
- 整體含義：可能指采用擴散工藝形成基區，同時通過合金工藝制作電極的晶體管類型。
技術背景
20世紀50-60年代，合金擴散晶體管（Alloy-Diffused Transistor）曾用于高頻應用。其結構特點包括：
- 基區通過擴散摻雜實現更精确的控制；
- 發射極和集電極通過合金化形成低電阻接觸。
  這類晶體管因工藝複雜，逐漸被平面工藝取代。

如需更專業的定義，請提供具體語境或技術文檔來源。