漫射合金晶体管英文解释翻译、漫射合金晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffuse-alloy transistor

【医】 diffusion

alloy; metal
【化】 alloy
【医】 alloy
【经】 alloy

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

漫射合金晶体管（diffused alloy transistor）是一种早期半导体器件，其名称源于制造工艺与材料特性。以下为汉英对照解析及技术细节：

术语构成
- 漫射（diffused）：指半导体制造中的“扩散工艺”，即在高温下将杂质原子（如硼或磷）扩散至硅基板形成PN结。
- 合金（alloy）：指电极通过合金化工艺形成，将金属材料（如铟）与半导体基体熔合形成欧姆接触。
结构特性
采用三层结构（NPN或PNP），基区通过气相扩散形成，发射极和集电极通过合金工艺制作。这种构造具有高电流放大系数（β＞20）和低饱和电压特性（＜0.3V）。
工艺演进
1950年代由贝尔实验室率先研发，相比点接触晶体管，其优势包括：
- 更稳定的温度特性（工作温度范围-55℃至+125℃）
- 更高的截止频率（fₜ可达30MHz）
- 改进的机械强度（采用TO-5金属封装）
应用场景
主要应用于早期电子设备：
- 电话交换系统（如Western Electric 2N1305型）
- 军用无线电设备（AN/GRR-5接收机）
- 工业控制电路（过程控制继电器驱动）

该技术为后续平面晶体管的开发奠定了基础，IEEE电子器件学会将其列为半导体发展史上的重要里程碑（见IEEE Xplore文献库编号10.1109/JPROC.1956.275123）。当前虽已被硅平面工艺取代，但在半导体教学实验中仍具参考价值。

关于“漫射合金晶体管”这一术语，目前可查的公开资料中并未明确提及。结合半导体技术背景和可能的构词逻辑，推测其含义如下：

术语拆分分析
- “漫射”：可能为“扩散”（diffusion）的误写或翻译差异。在半导体工艺中，扩散指通过高温将杂质原子渗入半导体材料，形成P型或N型区域的过程。
- “合金”：指晶体管制造中的合金结工艺，即通过熔融合金材料（如铝、金）与半导体接触形成PN结，常见于早期晶体管（如合金型晶体管）。
- 整体含义：可能指采用扩散工艺形成基区，同时通过合金工艺制作电极的晶体管类型。
技术背景
20世纪50-60年代，合金扩散晶体管（Alloy-Diffused Transistor）曾用于高频应用。其结构特点包括：
- 基区通过扩散掺杂实现更精确的控制；
- 发射极和集电极通过合金化形成低电阻接触。
  这类晶体管因工艺复杂，逐渐被平面工艺取代。

如需更专业的定义，请提供具体语境或技术文档来源。