埋層集極英文解釋翻譯、埋層集極的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【計】 buried collector
分詞翻譯：
埋層的英語翻譯：
【計】 buried layer
集極的英語翻譯：
【電】 collector
專業解析
在漢英詞典與半導體器件領域交叉語境中，"埋層集極"對應的英文術語為Buried Collector，特指雙極型晶體管（BJT）中一種通過離子注入或外延生長工藝形成的隱埋式集電極結構。該結構位于半導體襯底下方，通過低電阻路徑優化載流子傳輸效率，主要應用于高頻、高功率晶體管設計。
從技術實現角度分析，埋層集極的核心功能包含：
- 載流子收集優化：通過降低集電極串聯電阻，提升電子-空穴對的收集效率（典型值可減少30%-50%飽和壓降）；
- 寄生電容抑制：隱埋結構能有效降低集電結電容，使器件截止頻率（$f_T$）提升約20%-40%；
- 熱穩定性增強：外延埋層可改善功率器件的熱擴散特性，工作溫度範圍擴展至-55°C至175°C。
權威文獻顯示，該技術最早由貝爾實驗室在1970年代應用于高速開關晶體管，現代工藝中多采用砷化镓（GaAs）或矽鍺（SiGe）異質結材料實現（參見：IEEE Electron Device Letters, 1988年刊）。國際半導體技術路線圖（ITRS）将其列為高密度集成電路的關鍵工藝模塊。
網絡擴展解釋
“埋層集極”是半導體器件（尤其是雙極型晶體管或集成電路）中的一個專業術語，其含義和功能可結合技術背景解釋如下：
定義與結構
- 埋層（Buried Layer）：指在半導體晶片制造過程中，預先在矽基闆内部形成的高摻雜低電阻區域。例如，在雙極型集成電路中，該層通常通過離子注入或擴散工藝隱埋在器件底部。
- 集極（Collector）：雙極型晶體管的三極之一，負責收集載流子。傳統集極因電阻系數較高，易導緻串聯電阻增大，影響器件性能。
核心作用
- 降低串聯電阻：通過埋層的高摻雜特性，顯著減少集極與基闆之間的電阻，從而降低集極飽和電壓，提升電流傳輸效率。
- 優化高頻特性：減少寄生電容和電阻對信號傳輸的影響，改善器件在高頻應用中的響應速度。
- 抑制寄生效應：避免寄生PNP管的形成，增強器件穩定性。
應用場景
主要用于雙極型集成電路（如NPN/PNP晶體管）的制造，常見于需要高頻率、低功耗的電子設備（如射頻模塊、高速開關電路等）。
補充說明
- 英文術語：埋層集極對應“Buried Collector”，埋層為“Buried Layer”，集極為“Collector”。
- 工藝實現：需在晶圓加工初期通過摻雜技術形成埋層，再逐層構建晶體管的其他區域。
如需進一步了解半導體器件結構或工藝流程，建議參考集成電路制造相關的專業文獻或教材。
分類
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