埋层集极英文解释翻译、埋层集极的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 buried collector

【计】 buried layer

【电】 collector

在汉英词典与半导体器件领域交叉语境中，"埋层集极"对应的英文术语为Buried Collector，特指双极型晶体管（BJT）中一种通过离子注入或外延生长工艺形成的隐埋式集电极结构。该结构位于半导体衬底下方，通过低电阻路径优化载流子传输效率，主要应用于高频、高功率晶体管设计。

从技术实现角度分析，埋层集极的核心功能包含：

权威文献显示，该技术最早由贝尔实验室在1970年代应用于高速开关晶体管，现代工艺中多采用砷化镓（GaAs）或硅锗（SiGe）异质结材料实现（参见：IEEE Electron Device Letters, 1988年刊）。国际半导体技术路线图（ITRS）将其列为高密度集成电路的关键工艺模块。

“埋层集极”是半导体器件（尤其是双极型晶体管或集成电路）中的一个专业术语，其含义和功能可结合技术背景解释如下：

埋层（Buried Layer）：指在半导体晶片制造过程中，预先在硅基板内部形成的高掺杂低电阻区域。例如，在双极型集成电路中，该层通常通过离子注入或扩散工艺隐埋在器件底部。
集极（Collector）：双极型晶体管的三极之一，负责收集载流子。传统集极因电阻系数较高，易导致串联电阻增大，影响器件性能。

主要用于双极型集成电路（如NPN/PNP晶体管）的制造，常见于需要高频率、低功耗的电子设备（如射频模块、高速开关电路等）。

如需进一步了解半导体器件结构或工艺流程，建议参考集成电路制造相关的专业文献或教材。