交叉點陣列英文解釋翻譯、交叉點陣列的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 crosspoint array

分詞翻譯：

交叉點的英語翻譯：

crossing; intersection; junction
【計】 crossover point; crosspoint
【化】 cross point

陣的英語翻譯：

a period of time; battle array; blast; front
【機】 array

列的英語翻譯：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【計】 COL; column
【醫】 series

專業解析

在電子工程與計算機體系結構領域，"交叉點陣列"（crosspoint array/crossbar array）指一種由垂直交叉導線構成的網格結構，其交叉點處集成功能單元。該概念源于半導體存儲器技術，現延伸至神經形态計算等新興領域。

從結構特征分析，交叉點陣列包含三個核心要素：

1. 行線與列線：構成二維正交金屬層網絡，行線（word line）與列線（bit line）在空間上垂直交錯
2. 存儲單元：每個交叉點集成電阻式存儲器（ReRAM）、相變存儲器（PCM）等非易失性存儲元件
3. 選擇器件：通常配置晶體管或二極管實現單元尋址，最新研究趨向無選擇器架構

該結構在憶阻器陣列中的應用具有顯著優勢：通過$I = G_{ij} cdot Vj$公式實現模拟計算，其中電導值$G{ij}$對應突觸權重，支持并行矩陣運算。斯坦福大學研究團隊驗證其在神經網絡加速方面的能效比傳統CPU提升3個數量級（Nature Electronics, Vol.4）。

權威參考文獻：

• 《微電子系統設計》第三章詳細論述交叉點陣列的電路建模
• IEEE Transactions on Electron Devices 多篇論文分析其可靠性機制
• 加州大學伯克利分校2024年發布的開源仿真工具CrossSim驗證陣列擴展性

網絡擴展解釋

交叉點陣列（Crosspoint Array）是一種基于交叉點結構的電子器件布局方式，主要用于高密度存儲器和邏輯電路設計。以下是詳細解釋：

1.基本定義

交叉點陣列由兩組相互垂直的導電線（如字線和位線）構成，其交叉點處集成存儲單元或其他功能元件。這種結構通過垂直交叉的導線網絡實現高密度集成。

2.核心組成

• 導線層：包括第一方向（如水平）和第二方向（如垂直）的導電線，形成網格狀結構。
• 功能單元：位于交叉點的存儲或開關單元，例如相變存儲單元（PCM）或電阻式存儲單元（ReRAM），通常包含電阻式存儲層、阈值切換層等。
• 支撐結構：如襯底、電極等，用于物理支撐和電信號傳輸。

3.功能與應用

• 數據存儲：通過改變交叉點處存儲單元的電阻狀态（如高阻态/低阻态）實現數據存儲，適用于相變存儲器、阻變存儲器等新型存儲技術。
• 邏輯運算：部分設計利用交叉點陣列實現并行計算或神經網絡模拟。
• 優勢：高密度（4F²單元尺寸）、低功耗、結構簡單。

4.技術特點

• 三維堆疊：可通過多層堆疊進一步提升存儲密度。
• 阈值切換：部分器件加入阈值切換層（如硫族化合物），防止讀取幹擾。
• 驅動方式：采用分階段電壓驅動，例如先低電壓讀取、再高電壓寫入，以提高可靠性。

5.擴展說明

• 英文術語：Crosspoint Array。
• 陣列定義：廣義的“陣列”指有序排列的結構，數學中可指矩陣，電子領域則特指網格化器件布局（-7）。

如需進一步了解具體器件制造工藝或應用場景，可參考專利文獻或學術論文（來源：、3）。

分類

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