交叉点阵列英文解释翻译、交叉点阵列的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 crosspoint array

分词翻译：

交叉点的英语翻译：

crossing; intersection; junction
【计】 crossover point; crosspoint
【化】 cross point

阵的英语翻译：

a period of time; battle array; blast; front
【机】 array

列的英语翻译：

arrange; kind; line; list; row; tier; various
【计】 COL; column
【医】 series

专业解析

在电子工程与计算机体系结构领域，"交叉点阵列"（crosspoint array/crossbar array）指一种由垂直交叉导线构成的网格结构，其交叉点处集成功能单元。该概念源于半导体存储器技术，现延伸至神经形态计算等新兴领域。

从结构特征分析，交叉点阵列包含三个核心要素：

1. 行线与列线：构成二维正交金属层网络，行线（word line）与列线（bit line）在空间上垂直交错
2. 存储单元：每个交叉点集成电阻式存储器（ReRAM）、相变存储器（PCM）等非易失性存储元件
3. 选择器件：通常配置晶体管或二极管实现单元寻址，最新研究趋向无选择器架构

该结构在忆阻器阵列中的应用具有显著优势：通过$I = G_{ij} cdot Vj$公式实现模拟计算，其中电导值$G{ij}$对应突触权重，支持并行矩阵运算。斯坦福大学研究团队验证其在神经网络加速方面的能效比传统CPU提升3个数量级（Nature Electronics, Vol.4）。

权威参考文献：

• 《微电子系统设计》第三章详细论述交叉点阵列的电路建模
• IEEE Transactions on Electron Devices 多篇论文分析其可靠性机制
• 加州大学伯克利分校2024年发布的开源仿真工具CrossSim验证阵列扩展性

网络扩展解释

交叉点阵列（Crosspoint Array）是一种基于交叉点结构的电子器件布局方式，主要用于高密度存储器和逻辑电路设计。以下是详细解释：

1.基本定义

交叉点阵列由两组相互垂直的导电线（如字线和位线）构成，其交叉点处集成存储单元或其他功能元件。这种结构通过垂直交叉的导线网络实现高密度集成。

2.核心组成

• 导线层：包括第一方向（如水平）和第二方向（如垂直）的导电线，形成网格状结构。
• 功能单元：位于交叉点的存储或开关单元，例如相变存储单元（PCM）或电阻式存储单元（ReRAM），通常包含电阻式存储层、阈值切换层等。
• 支撑结构：如衬底、电极等，用于物理支撑和电信号传输。

3.功能与应用

• 数据存储：通过改变交叉点处存储单元的电阻状态（如高阻态/低阻态）实现数据存储，适用于相变存储器、阻变存储器等新型存储技术。
• 逻辑运算：部分设计利用交叉点阵列实现并行计算或神经网络模拟。
• 优势：高密度（4F²单元尺寸）、低功耗、结构简单。

4.技术特点

• 三维堆叠：可通过多层堆叠进一步提升存储密度。
• 阈值切换：部分器件加入阈值切换层（如硫族化合物），防止读取干扰。
• 驱动方式：采用分阶段电压驱动，例如先低电压读取、再高电压写入，以提高可靠性。

5.扩展说明

• 英文术语：Crosspoint Array。
• 阵列定义：广义的“阵列”指有序排列的结构，数学中可指矩阵，电子领域则特指网格化器件布局（-7）。

如需进一步了解具体器件制造工艺或应用场景，可参考专利文献或学术论文（来源：、3）。

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