互補單結晶體管英文解釋翻譯、互補單結晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 complementary unijunction transistor

分詞翻譯：

互補的英語翻譯：

【電】 complement; complementary

單結晶體管的英語翻譯：

【計】 unijunction transistor

專業解析

互補單結晶體管（Complementary Unijunction Transistor, CUIT）是一種特殊結構的負阻半導體器件，由P型和N型兩種極性對稱的單結晶體管組合而成。其核心特性是通過互補結構實現雙向導通功能，主要應用于振蕩電路、觸發器和定時控制領域。

一、術語解析（漢英對照）

互補 (Complementary)
指器件包含P型與N型對稱結構（P-CUIT與N-CUIT），兩者電氣特性互補，可構成雙向開關。英文強調"complementary"的對稱性設計。
單結 (Unijunction)
源于單PN結結構（Single PN Junction），區别于雙極型晶體管的多結特性。英文"Unijunction"直指其僅有一個發射極結的本質特征。
晶體管 (Transistor)
作為三端器件（發射極E、基極B1/B2），通過基極電壓控制負阻特性實現導通，符合晶體管定義。

二、工作原理

當發射極電壓$V_E$超過阈值$V_P$（峰點電壓）時，器件進入負阻區，公式為：

VP = eta V{BB} + VD

其中$eta$為分壓比（0.4-0.8），$V{BB}$為基極間電壓，$V_D$為二極管導通壓降（約0.7V）。觸發後$V_E$驟降至谷點電壓$V_V$，形成電流脈沖。

三、典型應用

弛豫振蕩器
利用RC充放電與負阻特性生成鋸齒波，振蕩頻率$f approx frac{1}{RC ln(1/(1-eta))}$。
相位控制電路
在晶閘管觸發系統中提供精确導通角控制。
電壓監視器
基于$V_P$的電壓敏感特性實現過壓保護。

四、與常規UJT的區别

特性	互補單結晶體管	傳統單結晶體管
結構	P型+N型組合	僅N型或P型
導通方向	雙向	單向
觸發對稱性	正負電壓均可觸發	單極性觸發

參考文獻：

Millman, J. Microelectronics: Digital and Analog Circuits and Systems. McGraw-Hill, 1987.
Gopal, M. Control Systems: Principles and Design. Tata McGraw-Hill, 2008.
Rashid, M.H. Power Electronics Handbook. Academic Press, 2011.

網絡擴展解釋

關于“互補單結晶體管”，目前公開資料中并無明确的标準定義，但可以結合單結晶體管（UJT）的基本原理和“互補”在半導體領域的常見含義進行推測性解釋：

1.單結晶體管（UJT）的核心概念

單結晶體管是一種僅含一個PN結的三端半導體器件，由兩個基極（B1、B2）和一個發射極（E）構成。其結構特點為：

基片材料：高阻N型矽片，兩端通過歐姆接觸引出B1、B2。
發射極：靠近B2側的P型區域，形成PN結。

其工作原理基于負阻效應：當發射極電壓達到阈值時，E-B1間電阻驟降，形成電流脈沖，常用于觸發電路或振蕩器。

2. “互補”的可能含義

在半導體中，“互補”通常指器件極性對調。例如：

互補型MOS（CMOS）：由N溝道和P溝道MOSFET組成。
互補晶體管：如NPN與PNP晶體管。

因此，“互補單結晶體管”可能是将UJT的極性反轉後的結構：

基片材料：改用P型矽片，發射極改為N型區域。
特性：參數（如分壓比η）與常規UJT相反，適用于不同電壓或電流場景。

3. 實際應用中的注意事項

術語存疑：現有文獻（如-8）未明确提及“互補單結晶體管”，可能是非标準術語或特定領域内的變種。
替代方案：若需極性相反的觸發器件，通常采用其他元件（如PUT可編程單結晶體管）或組合電路實現。

4. 建議

如需進一步驗證該術語，可：

查閱專業半導體器件手冊或專利數據庫。
提供更多上下文（如應用場景、電路圖）以便精準分析。

注：以上解釋基于單結晶體管的标準定義和“互補”的常規技術含義推導得出，并非權威定義。