互补单结晶体管英文解释翻译、互补单结晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 complementary unijunction transistor

分词翻译：

互补的英语翻译：

【电】 complement; complementary

单结晶体管的英语翻译：

【计】 unijunction transistor

专业解析

互补单结晶体管（Complementary Unijunction Transistor, CUIT）是一种特殊结构的负阻半导体器件，由P型和N型两种极性对称的单结晶体管组合而成。其核心特性是通过互补结构实现双向导通功能，主要应用于振荡电路、触发器和定时控制领域。

一、术语解析（汉英对照）

互补 (Complementary)
指器件包含P型与N型对称结构（P-CUIT与N-CUIT），两者电气特性互补，可构成双向开关。英文强调"complementary"的对称性设计。
单结 (Unijunction)
源于单PN结结构（Single PN Junction），区别于双极型晶体管的多结特性。英文"Unijunction"直指其仅有一个发射极结的本质特征。
晶体管 (Transistor)
作为三端器件（发射极E、基极B1/B2），通过基极电压控制负阻特性实现导通，符合晶体管定义。

二、工作原理

当发射极电压$V_E$超过阈值$V_P$（峰点电压）时，器件进入负阻区，公式为：

VP = eta V{BB} + VD

其中$eta$为分压比（0.4-0.8），$V{BB}$为基极间电压，$V_D$为二极管导通压降（约0.7V）。触发后$V_E$骤降至谷点电压$V_V$，形成电流脉冲。

三、典型应用

弛豫振荡器
利用RC充放电与负阻特性生成锯齿波，振荡频率$f approx frac{1}{RC ln(1/(1-eta))}$。
相位控制电路
在晶闸管触发系统中提供精确导通角控制。
电压监视器
基于$V_P$的电压敏感特性实现过压保护。

四、与常规UJT的区别

特性	互补单结晶体管	传统单结晶体管
结构	P型+N型组合	仅N型或P型
导通方向	双向	单向
触发对称性	正负电压均可触发	单极性触发

参考文献：

Millman, J. Microelectronics: Digital and Analog Circuits and Systems. McGraw-Hill, 1987.
Gopal, M. Control Systems: Principles and Design. Tata McGraw-Hill, 2008.
Rashid, M.H. Power Electronics Handbook. Academic Press, 2011.

网络扩展解释

关于“互补单结晶体管”，目前公开资料中并无明确的标准定义，但可以结合单结晶体管（UJT）的基本原理和“互补”在半导体领域的常见含义进行推测性解释：

1.单结晶体管（UJT）的核心概念

单结晶体管是一种仅含一个PN结的三端半导体器件，由两个基极（B1、B2）和一个发射极（E）构成。其结构特点为：

基片材料：高阻N型硅片，两端通过欧姆接触引出B1、B2。
发射极：靠近B2侧的P型区域，形成PN结。

其工作原理基于负阻效应：当发射极电压达到阈值时，E-B1间电阻骤降，形成电流脉冲，常用于触发电路或振荡器。

2. “互补”的可能含义

在半导体中，“互补”通常指器件极性对调。例如：

互补型MOS（CMOS）：由N沟道和P沟道MOSFET组成。
互补晶体管：如NPN与PNP晶体管。

因此，“互补单结晶体管”可能是将UJT的极性反转后的结构：

基片材料：改用P型硅片，发射极改为N型区域。
特性：参数（如分压比η）与常规UJT相反，适用于不同电压或电流场景。

3. 实际应用中的注意事项

术语存疑：现有文献（如-8）未明确提及“互补单结晶体管”，可能是非标准术语或特定领域内的变种。
替代方案：若需极性相反的触发器件，通常采用其他元件（如PUT可编程单结晶体管）或组合电路实现。

4. 建议

如需进一步验证该术语，可：

查阅专业半导体器件手册或专利数据库。
提供更多上下文（如应用场景、电路图）以便精准分析。

注：以上解释基于单结晶体管的标准定义和“互补”的常规技术含义推导得出，并非权威定义。