
【電】 infrared-emitting diode
infrared; infrared ray
【化】 infrared ray; ultra-red ray
【醫】 infra-red light; infrared; infrared rays; ultra-red; ultra-red rays
launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission
diode
【化】 diode
紅外線發射二極管(Infrared Emitting Diode,簡稱IR LED)是一種可将電能轉化為特定波長紅外光的半導體器件。其核心結構由砷化镓(GaAs)或鋁砷化镓(AlGaAs)材料制成的PN結組成,當施加正向電壓時,電子與空穴複合釋放出波長範圍為700 nm至1 mm的紅外輻射。
技術特性
應用領域
參數規範
主要依據IEC 60825-1激光安全标準,輻射強度通常小于100 mW/sr。建議設計時參考Texas Instruments應用筆記中關于驅動電路的設計指南。
紅外線發射二極管(又稱紅外發射管或IR LED)是一種将電能直接轉換為近紅外光的半導體器件,主要用于不可見光的輻射與控制。以下從原理、結構、特性及應用等方面綜合說明:
紅外線發射二極管基于PN結發光原理,通過正向偏置電壓注入電流,激發半導體材料産生紅外光。其核心材料為砷化镓(GaAs)或砷鋁化镓(GaAlAs),這些材料具有高紅外輻射效率。光譜中心波長範圍為830~950nm,半峰帶寬約40nm,屬于窄帶分布,可被普通CCD攝像機捕捉。
總結來看,紅外線發射二極管通過半導體材料的電光轉換特性,在非可見光控制與通信領域具有不可替代的作用。
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