红外线发射二极管英文解释翻译、红外线发射二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 infrared-emitting diode

分词翻译：

红外线的英语翻译：

infrared; infrared ray
【化】 infrared ray; ultra-red ray
【医】 infra-red light; infrared; infrared rays; ultra-red; ultra-red rays

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

红外线发射二极管（Infrared Emitting Diode，简称IR LED）是一种可将电能转化为特定波长红外光的半导体器件。其核心结构由砷化镓（GaAs）或铝砷化镓（AlGaAs）材料制成的PN结组成，当施加正向电压时，电子与空穴复合释放出波长范围为700 nm至1 mm的红外辐射。

技术特性

1. 波长范围：常见型号集中在850 nm和940 nm波段，前者适用于安防监控，后者多用于遥控器。
2. 辐射模式：具有定向发射特性，可通过透镜设计调节辐射角度。
3. 驱动要求：需串联限流电阻，典型工作电流为20-100 mA，响应时间在纳秒级。

应用领域

• 消费电子：电视/空调遥控信号发射（参考Philips Lumileds技术白皮书）
• 工业传感：光电开关、气体成分分析
• 医疗设备：脉搏血氧仪探头（依据《生物医学光学基础》原理）

参数规范

主要依据IEC 60825-1激光安全标准，辐射强度通常小于100 mW/sr。建议设计时参考Texas Instruments应用笔记中关于驱动电路的设计指南。

网络扩展解释

红外线发射二极管（又称红外发射管或IR LED）是一种将电能直接转换为近红外光的半导体器件，主要用于不可见光的辐射与控制。以下从原理、结构、特性及应用等方面综合说明：

一、基本工作原理

红外线发射二极管基于PN结发光原理，通过正向偏置电压注入电流，激发半导体材料产生红外光。其核心材料为砷化镓（GaAs）或砷铝化镓（GaAlAs），这些材料具有高红外辐射效率。光谱中心波长范围为830~950nm，半峰带宽约40nm，属于窄带分布，可被普通CCD摄像机捕捉。

二、结构与材料特性

1. 结构：外形与普通LED相似，但封装材料通常为全透明、浅蓝色或黑色树脂，以减少可见光干扰。
2. 材料：采用GaAs或GaAlAs半导体，通过调整材料配比实现不同波长（如850nm用于带红暴场景，940nm无红暴）。

三、关键参数与工作特性

• 电学参数：管压降约1.4V，典型工作电流为20~50mA，需串联限流电阻适配不同电压。
• 发射距离：受功率和调制方式影响。脉冲调制时，减小占空比（如1/10）可提升峰值电流，使小功率管（1mW-10mW）的传输距离显著增加。
• 功率分类：分小功率（1-10mW）、**率（20-50mW）及大功率（>50mW）。

四、主要应用领域

1. 遥控系统：如电视、空调遥控器，通过调制信号实现指令传输。
2. 光电开关：用于自动感应设备（如感应水龙头、安防监控）。
3. 通信与传感：在红外通信链路或传感器中实现光信号转换。

五、优势与局限

• 优势：无红暴（940nm）、寿命长、响应速度快。
• 局限：传输距离受环境干扰（如强光），需配合接收管使用。

总结来看，红外线发射二极管通过半导体材料的电光转换特性，在非可见光控制与通信领域具有不可替代的作用。

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