矽雙基二極管英文解釋翻譯、矽雙基二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 silicon double-base diode

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

雙基二極管的英語翻譯：

【電】 double-base diode

專業解析

矽雙基二極管（Silicon Bidirectional Diode），在電子工程領域更常被稱為雙向觸發二極管（DIAC，全稱 Diode for Alternating Current），是一種兩端對稱的半導體開關器件。它由矽材料制成，核心結構通常為PNPN五層（或等效結構），具有雙向導通特性。

一、術語定義與結構

中文術語：矽雙基二極管（強調材料為矽，具有雙向基極結構特性）
英文術語： DIAC (Diode for Alternating Current) 或 Bidirectional Trigger Diode
核心結構：通常由三層半導體材料（NPN或PNP）構成，形成兩個背靠背連接的PN結，等效于一個五層（PNPNP）結構。這種結構使其在正負兩個方向上的電氣特性完全對稱。

二、工作原理

DIAC的關鍵特性是其雙向負阻特性：

截止狀态：當施加在器件兩端的電壓（無論正負）低于其特定的轉折電壓（Breakover Voltage, V_BO）時，DIAC呈現高阻抗狀态，僅有極小的漏電流通過。
觸發導通：當電壓（正或負）達到或超過轉折電壓 V_BO 時，DIAC内部的PN結發生雪崩擊穿，器件瞬間從高阻态切換到低阻态（負阻效應），電流急劇增加，電壓則迅速下降至一個較低的導通壓降（通常在1-2V左右）。
維持導通：一旦觸發導通，隻要流經DIAC的電流大于其維持電流（Holding Current, I_H），器件将保持導通狀态。
關斷：當電流減小到低于維持電流 I_H 時（通常在交流電過零點附近自然發生），DIAC會恢複到高阻截止狀态，直到下一次電壓達到轉折電壓 V_BO 再次觸發。

三、主要特性參數

轉折電壓 (V_BO)： DIAC觸發導通的臨界電壓值，典型值範圍在20V至40V之間，具有正負對稱性。
維持電流 (I_H)：維持DIAC導通所需的最小電流，典型值在幾毫安至幾十毫安。
對稱性：理想DIAC在正負兩個方向上的V_BO和I_H值應非常接近。

四、典型應用

DIAC最主要的應用是作為觸發元件，特别是在交流相位控制電路中控制雙向晶閘管（TRIAC）：

TRIAC觸發： DIAC與電阻、電容（RC網絡）串聯構成觸發電路。當RC網絡上的充電電壓達到DIAC的轉折電壓時，DIAC導通并産生一個脈沖電流，該電流注入TRIAC的門極，觸發TRIAC導通。通過調節RC網絡的時間常數，可以控制TRIAC在每個交流半周内的導通角，從而實現調光、調速、調溫等功能。
過壓保護：利用其雪崩擊穿特性，DIAC有時也用于簡單的過壓保護電路。

五、封裝形式

DIAC通常采用小型的軸向引線封裝（如DO-35）或表面貼裝封裝（如SOT-23）。

網絡擴展解釋

矽雙基二極管，又稱單結晶體管（Unijunction Transistor, UJT），是一種具有負阻特性的三端半導體器件，主要用于脈沖和振蕩電路中。以下是其核心要點：

1.結構組成

材料基礎：由高電阻率的N型矽片構成，其中一側的兩端引出兩個基極（B1和B2），另一側靠近B2處制作一個P型矽區域作為發射極（E）。
電阻特性：兩個基極之間的總電阻為$R{BB}=R{B1}+R{B2}$，通常為2~15kΩ，其中$R{B1}$和$R_{B2}$分别表示B1、B2到PN結的電阻。

2.工作原理

導通條件：當發射極電壓$U_E$達到峰點電壓$UP=U{BB}+U_D$時（$U_D$為PN結正向壓降，約0.7V），PN結導通，發射極電流$I_E$驟增，進入負阻區。
負阻效應：導通後，P區向N區注入空穴，導緻$R_{B1}$急劇減小，$U_E$隨之下降，形成動态負阻特性。

3.典型應用

脈沖生成：利用其負阻特性，可構成弛張振蕩器，輸出周期性脈沖信號。
觸發控制：常用于可控矽（SCR）的觸發電路，或定時器中。

參考資料說明

以上内容綜合了雙基極二極管的結構和導通機制。如需進一步研究，可查閱電子技術教材或半導體器件手冊。