硅双基二极管英文解释翻译、硅双基二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 silicon double-base diode

分词翻译：

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

双基二极管的英语翻译：

【电】 double-base diode

专业解析

硅双基二极管（Silicon Bidirectional Diode），在电子工程领域更常被称为双向触发二极管（DIAC，全称 Diode for Alternating Current），是一种两端对称的半导体开关器件。它由硅材料制成，核心结构通常为PNPN五层（或等效结构），具有双向导通特性。

一、术语定义与结构

中文术语：硅双基二极管（强调材料为硅，具有双向基极结构特性）
英文术语： DIAC (Diode for Alternating Current) 或 Bidirectional Trigger Diode
核心结构：通常由三层半导体材料（NPN或PNP）构成，形成两个背靠背连接的PN结，等效于一个五层（PNPNP）结构。这种结构使其在正负两个方向上的电气特性完全对称。

二、工作原理

DIAC的关键特性是其双向负阻特性：

截止状态：当施加在器件两端的电压（无论正负）低于其特定的转折电压（Breakover Voltage, V_BO）时，DIAC呈现高阻抗状态，仅有极小的漏电流通过。
触发导通：当电压（正或负）达到或超过转折电压 V_BO 时，DIAC内部的PN结发生雪崩击穿，器件瞬间从高阻态切换到低阻态（负阻效应），电流急剧增加，电压则迅速下降至一个较低的导通压降（通常在1-2V左右）。
维持导通：一旦触发导通，只要流经DIAC的电流大于其维持电流（Holding Current, I_H），器件将保持导通状态。
关断：当电流减小到低于维持电流 I_H 时（通常在交流电过零点附近自然发生），DIAC会恢复到高阻截止状态，直到下一次电压达到转折电压 V_BO 再次触发。

三、主要特性参数

转折电压 (V_BO)： DIAC触发导通的临界电压值，典型值范围在20V至40V之间，具有正负对称性。
维持电流 (I_H)：维持DIAC导通所需的最小电流，典型值在几毫安至几十毫安。
对称性：理想DIAC在正负两个方向上的V_BO和I_H值应非常接近。

四、典型应用

DIAC最主要的应用是作为触发元件，特别是在交流相位控制电路中控制双向晶闸管（TRIAC）：

TRIAC触发： DIAC与电阻、电容（RC网络）串联构成触发电路。当RC网络上的充电电压达到DIAC的转折电压时，DIAC导通并产生一个脉冲电流，该电流注入TRIAC的门极，触发TRIAC导通。通过调节RC网络的时间常数，可以控制TRIAC在每个交流半周内的导通角，从而实现调光、调速、调温等功能。
过压保护：利用其雪崩击穿特性，DIAC有时也用于简单的过压保护电路。

五、封装形式

DIAC通常采用小型的轴向引线封装（如DO-35）或表面贴装封装（如SOT-23）。

网络扩展解释

硅双基二极管，又称单结晶体管（Unijunction Transistor, UJT），是一种具有负阻特性的三端半导体器件，主要用于脉冲和振荡电路中。以下是其核心要点：

1.结构组成

材料基础：由高电阻率的N型硅片构成，其中一侧的两端引出两个基极（B1和B2），另一侧靠近B2处制作一个P型硅区域作为发射极（E）。
电阻特性：两个基极之间的总电阻为$R{BB}=R{B1}+R{B2}$，通常为2~15kΩ，其中$R{B1}$和$R_{B2}$分别表示B1、B2到PN结的电阻。

2.工作原理

导通条件：当发射极电压$U_E$达到峰点电压$UP=U{BB}+U_D$时（$U_D$为PN结正向压降，约0.7V），PN结导通，发射极电流$I_E$骤增，进入负阻区。
负阻效应：导通后，P区向N区注入空穴，导致$R_{B1}$急剧减小，$U_E$随之下降，形成动态负阻特性。

3.典型应用

脉冲生成：利用其负阻特性，可构成弛张振荡器，输出周期性脉冲信号。
触发控制：常用于可控硅（SCR）的触发电路，或定时器中。

参考资料说明

以上内容综合了双基极二极管的结构和导通机制。如需进一步研究，可查阅电子技术教材或半导体器件手册。