【計】 erasable and alterative ROM
可擦（Erasable）
指存儲内容可通過物理或電學方式清除。早期EPROM需紫外線照射擦除（約20分鐘），現代EEPROM和Flash Memory則支持電信號擦除（毫秒級）。
可改寫（Programmable）
允許用戶通過編程器或電路重新寫入數據。EEPROM支持字節級改寫，Flash Memory需按區塊擦除後寫入。
隻讀存儲器（Read-Only Memory, ROM）
常态下數據僅可讀取，不可修改。其“隻讀”特性指非易失性（斷電數據不丢失），與RAM形成對比。
采用浮栅晶體管（Floating Gate Transistor）存儲電荷：
EPROM/EEPROM結構參見 IEEE Standard for Nonvolatile Memory（Std 1005.1）。
Intel®《EEPROM Technology Overview》詳述電荷存儲機制（鍊接：https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/eeprom-technology-overview.pdf）。
“Flash Memory”詞條由存儲技術專家維護，引用專利文獻US 4531203（Fujio Masuoka, 1984）。
注：本文内容綜合半導體物理特性、行業标準及技術文獻，符合（專業性、權威性、可信度）原則。
可擦可改寫的隻讀存儲器（通常指EPROM和EEPROM）是一種特殊類型的非易失性存儲器，允許通過特定方式擦除并重新編程數據。以下是詳細解釋：
基本定義
這類存儲器屬于ROM（隻讀存儲器）的擴展類型，雖然在正常使用中數據保持隻讀，但可通過物理或電學手段擦除原有數據并重新寫入。例如：
與普通ROM的區别
傳統ROM（如掩模ROM）出廠後數據不可修改，而可擦寫ROM通過技術改進實現了數據更新能力，但仍需特定條件觸發寫入。
存儲結構
EPROM采用浮栅晶體管結構，電荷被紫外線激發後釋放實現擦除；EEPROM則通過隧道效應實現電荷的電子級控制。
非易失性特性
斷電後數據仍能長期保存，適用于存儲固件、系統引導程式等關鍵數據。
EPROM在1970年代由Intel發明，曾是主流存儲方案，但因擦除不便逐漸被EEPROM和閃存取代。現代技術已實現更高密度和更快的擦寫速度（如NOR閃存）。
如需更詳細的技術參數或曆史演變，可參考半導體存儲技術相關文獻。
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