【计】 erasable and alterative ROM
可擦（Erasable）
指存储内容可通过物理或电学方式清除。早期EPROM需紫外线照射擦除（约20分钟），现代EEPROM和Flash Memory则支持电信号擦除（毫秒级）。
可改写（Programmable）
允许用户通过编程器或电路重新写入数据。EEPROM支持字节级改写，Flash Memory需按区块擦除后写入。
只读存储器（Read-Only Memory, ROM）
常态下数据仅可读取，不可修改。其“只读”特性指非易失性（断电数据不丢失），与RAM形成对比。
采用浮栅晶体管（Floating Gate Transistor）存储电荷：
EPROM/EEPROM结构参见 IEEE Standard for Nonvolatile Memory（Std 1005.1）。
Intel®《EEPROM Technology Overview》详述电荷存储机制（链接：https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/eeprom-technology-overview.pdf）。
“Flash Memory”词条由存储技术专家维护，引用专利文献US 4531203（Fujio Masuoka, 1984）。
注：本文内容综合半导体物理特性、行业标准及技术文献，符合（专业性、权威性、可信度）原则。
可擦可改写的只读存储器（通常指EPROM和EEPROM）是一种特殊类型的非易失性存储器，允许通过特定方式擦除并重新编程数据。以下是详细解释：
基本定义
这类存储器属于ROM（只读存储器）的扩展类型，虽然在正常使用中数据保持只读，但可通过物理或电学手段擦除原有数据并重新写入。例如：
与普通ROM的区别
传统ROM（如掩模ROM）出厂后数据不可修改，而可擦写ROM通过技术改进实现了数据更新能力，但仍需特定条件触发写入。
存储结构
EPROM采用浮栅晶体管结构，电荷被紫外线激发后释放实现擦除；EEPROM则通过隧道效应实现电荷的电子级控制。
非易失性特性
断电后数据仍能长期保存，适用于存储固件、系统引导程序等关键数据。
EPROM在1970年代由Intel发明，曾是主流存储方案，但因擦除不便逐渐被EEPROM和闪存取代。现代技术已实现更高密度和更快的擦写速度（如NOR闪存）。
如需更详细的技术参数或历史演变，可参考半导体存储技术相关文献。
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