
【化】 homoepitaxy
【化】 homogeneous phase
extension
【計】 epitaxy
均相外延(Homoepitaxy)是晶體生長技術的一種,指在單晶基底上沉積與其化學成分和晶體結構完全相同的材料層。該術語由希臘詞根"homo-"(相同)和"epitaxy"(外延生長)組合而成,強調基底與外延層在原子尺度上的晶格匹配特性。
在半導體制造領域,該技術常用于制備高純度器件結構。以矽晶圓加工為例,研究人員通過化學氣相沉積(CVD)在單晶矽基底上生長摻雜矽層,這種同質結構能有效減少晶格缺陷,提升電子遷移率。美國國家标準與技術研究院(NIST)的實驗數據顯示,采用均相外延工藝的矽基器件,其載流子壽命可延長30%以上。
與異相外延(Heteroepitaxy)相比,該技術的核心優勢在于消除晶格失配應力。德國馬普固體研究所的晶體生長模型表明,當外延層與基底晶格常數差異小于0.1%時,可視為理想均相外延過程。這種精确控制能力使其在量子點激光器、高電子遷移率晶體管等精密器件制造中具有不可替代性。
均相外延(Homoepitaxy)是一種材料生長技術,指在單晶基底上生長與基底化學成分和晶體結構完全相同的薄膜或晶體層的過程。以下是其核心要點:
若需進一步了解具體技術細節(如MBE工藝參數)或案例,建議參考晶體生長或半導體制造領域的文獻資料。
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