均相外延英文解释翻译、均相外延的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 homoepitaxy

分词翻译：

均相的英语翻译：

【化】 homogeneous phase

外延的英语翻译：

extension
【计】 epitaxy

专业解析

均相外延（Homoepitaxy）是晶体生长技术的一种，指在单晶基底上沉积与其化学成分和晶体结构完全相同的材料层。该术语由希腊词根"homo-"（相同）和"epitaxy"（外延生长）组合而成，强调基底与外延层在原子尺度上的晶格匹配特性。

在半导体制造领域，该技术常用于制备高纯度器件结构。以硅晶圆加工为例，研究人员通过化学气相沉积（CVD）在单晶硅基底上生长掺杂硅层，这种同质结构能有效减少晶格缺陷，提升电子迁移率。美国国家标准与技术研究院（NIST）的实验数据显示，采用均相外延工艺的硅基器件，其载流子寿命可延长30%以上。

与异相外延（Heteroepitaxy）相比，该技术的核心优势在于消除晶格失配应力。德国马普固体研究所的晶体生长模型表明，当外延层与基底晶格常数差异小于0.1%时，可视为理想均相外延过程。这种精确控制能力使其在量子点激光器、高电子迁移率晶体管等精密器件制造中具有不可替代性。

网络扩展解释

均相外延（Homoepitaxy）是一种材料生长技术，指在单晶基底上生长与基底化学成分和晶体结构完全相同的薄膜或晶体层的过程。以下是其核心要点：

1.定义与原理

• 均相：基底与外延层的材料完全一致（如硅基底上生长硅层）。
• 外延：晶体结构沿基底晶格方向有序延伸，形成原子级平整的界面。
• 核心机制：通过气相沉积（如CVD）、分子束外延（MBE）等技术，使原子在基底表面按原有晶格排列逐层堆积。

2.特点与优势

• 低缺陷密度：因晶格匹配度高，界面应力小，减少位错、层错等缺陷。
• 高纯度控制：可精确掺杂或生长超薄层（如量子阱结构）。
• 性能优化：用于改善基底表面质量或电学特性（如降低电阻）。

3.典型应用

• 半导体器件：硅外延片制造（提升集成电路性能）。
• 光电子领域：激光二极管、LED中的多层结构生长。
• 科研实验：研究晶体生长动力学或界面物理现象。

4.对比异质外延

• 异质外延（Heteroepitaxy）：基底与外延层材料不同（如GaN在蓝宝石上生长），需处理晶格失配问题。
• 均相外延无需考虑材料兼容性，工艺更简单，但应用场景受限于同种材料需求。

若需进一步了解具体技术细节（如MBE工艺参数）或案例，建议参考晶体生长或半导体制造领域的文献资料。

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