金屬有機氣相沉積英文解釋翻譯、金屬有機氣相沉積的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 metal organic chemical vapor deposition; MOCVD

分詞翻譯：

金屬的英語翻譯：

metal
【化】 metal
【醫】 metal
【經】 metal

有機的英語翻譯：

【醫】 organo-

氣相的英語翻譯：

【化】 gaseous phase

沉積的英語翻譯：

sediment
【化】 deposition
【醫】 deposit; sedimentation; sludging

專業解析

金屬有機氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是一種用于制備高純度半導體薄膜的先進工藝技術。其核心原理是通過高溫環境下金屬有機化合物與氣态前驅體的化學反應，在基闆表面沉積出均勻的晶體薄膜。該技術廣泛應用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體（如GaN、GaAs）的工業生産，是制造LED、激光二極管和微波器件等光電子器件的關鍵技術支撐。

從反應機制分析，MOCVD過程包含三個關鍵階段：

前驅體輸運：金屬有機源（如三甲基镓TMGa）和氫化物（如NH₃）在載氣（H₂或N₂）作用下進入反應腔；
熱分解反應：在加熱基闆（通常為藍寶石或矽）表面發生氣固相反應，化學方程式可表示為：
$$ text{Ga(CH₃)₃ + NH₃} xrightarrow{1000-1200^circ C} text{GaN + 3CH₄}

$$

薄膜生長：反應副産物通過氣體排出系統脫離，原子級平整的半導體薄膜逐層外延生長。

根據國際半導體技術路線圖（ITRS）的評估，MOCVD在薄膜厚度控制精度（±2%）、摻雜均勻性（＞98%）和缺陷密度（＜10⁶ cm⁻²）方面均優于分子束外延（MBE）等其他沉積技術。美國國家可再生能源實驗室（NREL）的實證研究表明，采用MOCVD制備的Ⅲ-Ⅴ族太陽能電池已實現32.9%的光電轉換效率，凸顯其技術先進性。

參考文獻

《半導體薄膜沉積技術》劍橋大學出版社
美國化學會（ACS）材料化學年報
日本應用物理學會《晶體生長雜志》
國際半導體協會（SEMI）技術白皮書
美國能源部NREL年度技術報告

網絡擴展解釋

金屬有機氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD）是一種重要的薄膜制備技術，主要用于半導體材料的外延生長。以下是綜合解釋：

1.定義與别名

MOCVD是通過金屬有機化合物（如三甲基镓、三乙基鋁等）與其他氣态物質在高溫下發生化學反應，在襯底表面沉積形成單晶或多晶薄膜的工藝。該技術因常用于外延生長，也被稱為金屬有機氣相外延（MOVPE）。

2.基本原理

反應過程：載氣（如H₂、N₂）将金屬有機源和反應氣體（如NH₃）輸送至加熱的襯底表面，通過熱分解或化學反應生成固态沉積物，并釋放副産物氣體。
關鍵條件：需要精确控制溫度、氣壓、氣體流量比等參數，以保障薄膜的均勻性和晶體質量。

3.技術特點

材料多樣性：適用于Ⅲ-Ⅴ族（如GaN、InP）和Ⅱ-Ⅵ族（如ZnO）等化合物半導體的生長。
高精度控制：可實現原子層級别的厚度控制，適合制備量子阱、超晶格等納米結構。
局限性：部分金屬有機物毒性高、成本昂貴，且反應副産物可能污染沉積層。

4.主要應用

光電子器件：如LED、激光二極管的核心材料（如GaN基藍光LED）。
高頻器件：用于5G通信中的射頻元件（如GaAs、GaN微波器件）。
太陽能電池：薄膜太陽能電池的半導體層制備。

5.與其他技術的對比

相較于液相外延（LPE）或分子束外延（MBE），MOCVD具有生長速率快、適合大面積沉積的優勢，但設備複雜度更高。

如需進一步了解反應機理或具體設備設計，可參考高權威性來源如道客巴巴（、）或金鋤頭文庫。