金属有机气相沉积英文解释翻译、金属有机气相沉积的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 metal organic chemical vapor deposition; MOCVD

分词翻译：

金属的英语翻译：

metal
【化】 metal
【医】 metal
【经】 metal

有机的英语翻译：

【医】 organo-

气相的英语翻译：

【化】 gaseous phase

沉积的英语翻译：

sediment
【化】 deposition
【医】 deposit; sedimentation; sludging

专业解析

金属有机气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）是一种用于制备高纯度半导体薄膜的先进工艺技术。其核心原理是通过高温环境下金属有机化合物与气态前驱体的化学反应，在基板表面沉积出均匀的晶体薄膜。该技术广泛应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（如GaN、GaAs）的工业生产，是制造LED、激光二极管和微波器件等光电子器件的关键技术支撑。

从反应机制分析，MOCVD过程包含三个关键阶段：

前驱体输运：金属有机源（如三甲基镓TMGa）和氢化物（如NH₃）在载气（H₂或N₂）作用下进入反应腔；
热分解反应：在加热基板（通常为蓝宝石或硅）表面发生气固相反应，化学方程式可表示为：
$$ text{Ga(CH₃)₃ + NH₃} xrightarrow{1000-1200^circ C} text{GaN + 3CH₄}

$$

薄膜生长：反应副产物通过气体排出系统脱离，原子级平整的半导体薄膜逐层外延生长。

根据国际半导体技术路线图（ITRS）的评估，MOCVD在薄膜厚度控制精度（±2%）、掺杂均匀性（＞98%）和缺陷密度（＜10⁶ cm⁻²）方面均优于分子束外延（MBE）等其他沉积技术。美国国家可再生能源实验室（NREL）的实证研究表明，采用MOCVD制备的Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池已实现32.9%的光电转换效率，凸显其技术先进性。

参考文献

《半导体薄膜沉积技术》剑桥大学出版社
美国化学会（ACS）材料化学年报
日本应用物理学会《晶体生长杂志》
国际半导体协会（SEMI）技术白皮书
美国能源部NREL年度技术报告

网络扩展解释

金属有机气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）是一种重要的薄膜制备技术，主要用于半导体材料的外延生长。以下是综合解释：

1.定义与别名

MOCVD是通过金属有机化合物（如三甲基镓、三乙基铝等）与其他气态物质在高温下发生化学反应，在衬底表面沉积形成单晶或多晶薄膜的工艺。该技术因常用于外延生长，也被称为金属有机气相外延（MOVPE）。

2.基本原理

反应过程：载气（如H₂、N₂）将金属有机源和反应气体（如NH₃）输送至加热的衬底表面，通过热分解或化学反应生成固态沉积物，并释放副产物气体。
关键条件：需要精确控制温度、气压、气体流量比等参数，以保障薄膜的均匀性和晶体质量。

3.技术特点

材料多样性：适用于Ⅲ-Ⅴ族（如GaN、InP）和Ⅱ-Ⅵ族（如ZnO）等化合物半导体的生长。
高精度控制：可实现原子层级别的厚度控制，适合制备量子阱、超晶格等纳米结构。
局限性：部分金属有机物毒性高、成本昂贵，且反应副产物可能污染沉积层。

4.主要应用

光电子器件：如LED、激光二极管的核心材料（如GaN基蓝光LED）。
高频器件：用于5G通信中的射频元件（如GaAs、GaN微波器件）。
太阳能电池：薄膜太阳能电池的半导体层制备。