金屬氧物半導邏輯門英文解釋翻譯、金屬氧物半導邏輯門的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 MOS logic gate

分詞翻譯：

金屬的英語翻譯：

metal
【化】 metal
【醫】 metal
【經】 metal

氧的英語翻譯：

oxygen
【醫】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas

物的英語翻譯：

content; matter; substance; thing
【化】 object
【醫】 agent

半的英語翻譯：

half; in the middle; semi-
【計】 semi
【醫】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【經】 quasi

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

邏輯門的英語翻譯：

【電】 logical gate

專業解析

金屬氧化物半導體邏輯門（Metal-Oxide-Semiconductor Logic Gate，簡稱MOS邏輯門）是集成電路中基于場效應晶體管（FET）構建的數字邏輯電路核心組件。其名稱源于結構特征：由金屬（Metal）電極、氧化物（Oxide）絕緣層和半導體（Semiconductor）襯底構成的三層堆疊結構。

定義與結構解析

金屬氧化物半導體（MOS）
對應英文“Metal-Oxide-Semiconductor”，指由金屬栅極、二氧化矽（SiO₂）絕緣層和矽基半導體組成的器件結構。該結構通過電場效應控制電流導通與關斷。
邏輯門功能
實現布爾邏輯運算（如與門AND、或門OR、非門NOT）的基礎單元，通過MOS晶體管的組合完成信號處理。例如，CMOS（互補MOS）技術利用N型與P型MOS管互補降低功耗。

工作原理與應用領域

電場調控機制：栅極電壓改變半導體表面載流子濃度，形成導電通道，從而控制源極與漏極間的電流。
典型應用：廣泛應用于微處理器、存儲器（如DRAM）及數字信號處理器中，因高集成度和低功耗特性成為現代電子設備的基石。

權威參考來源

《Semiconductor Devices: Physics and Technology》（S.M. Sze, Wiley出版社）
IEEE Xplore數據庫“CMOS技術演進”綜述文獻
牛津大學出版社《微電子電路設計》第6版

網絡擴展解釋

“金屬氧物半導邏輯門”是電子工程領域的術語，結合了材料科學與數字電路技術。以下分兩部分詳細解釋：

一、術語分解

金屬氧化物半導體（MOS）
指由金屬（如鋁）、氧化物（如二氧化矽）和半導體（如矽）組成的結構。這種結構通過電場效應控制電流，是晶體管的核心技術。提到，金屬氧化物廣泛用于工業催化劑、幹燥劑等領域，而在半導體中，二氧化矽等氧化物常作為絕緣層。
邏輯門
數字電路的基本單元，用于實現布爾邏輯（如與、或、非門）。MOS邏輯門即采用MOS技術制造的邏輯電路元件，具有低功耗、高集成度特點。

二、工作原理與應用

結構特性：MOS邏輯門基于金屬-氧化物-半導體三層結構，通過栅極電壓控制源極與漏極間電流的通斷，實現二進制信號的0/1切換。
技術優勢：相較于傳統雙極型晶體管，MOS邏輯門功耗更低，適合大規模集成電路（如現代CPU、存儲器芯片）。
術語修正建議：中文更常用“金屬氧化物半導體邏輯門”或英文縮寫“MOS邏輯門”，“金屬氧物”可能為翻譯誤差，建議規範表述。

當前主流的CMOS（互補型MOS）技術即基于此原理，進一步降低了靜态功耗，成為集成電路的基石技術。