金属氧物半导逻辑门英文解释翻译、金属氧物半导逻辑门的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 MOS logic gate

分词翻译：

金属的英语翻译：

metal
【化】 metal
【医】 metal
【经】 metal

氧的英语翻译：

oxygen
【医】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas

物的英语翻译：

content; matter; substance; thing
【化】 object
【医】 agent

半的英语翻译：

half; in the middle; semi-
【计】 semi
【医】 demi-; hemi-; semi-; semis; ss
【经】 quasi

导的英语翻译：

guide; lead; teach; transmit
【医】 guidance; guide

逻辑门的英语翻译：

【电】 logical gate

专业解析

金属氧化物半导体逻辑门（Metal-Oxide-Semiconductor Logic Gate，简称MOS逻辑门）是集成电路中基于场效应晶体管（FET）构建的数字逻辑电路核心组件。其名称源于结构特征：由金属（Metal）电极、氧化物（Oxide）绝缘层和半导体（Semiconductor）衬底构成的三层堆叠结构。

定义与结构解析

金属氧化物半导体（MOS）
对应英文“Metal-Oxide-Semiconductor”，指由金属栅极、二氧化硅（SiO₂）绝缘层和硅基半导体组成的器件结构。该结构通过电场效应控制电流导通与关断。
逻辑门功能
实现布尔逻辑运算（如与门AND、或门OR、非门NOT）的基础单元，通过MOS晶体管的组合完成信号处理。例如，CMOS（互补MOS）技术利用N型与P型MOS管互补降低功耗。

工作原理与应用领域

电场调控机制：栅极电压改变半导体表面载流子浓度，形成导电通道，从而控制源极与漏极间的电流。
典型应用：广泛应用于微处理器、存储器（如DRAM）及数字信号处理器中，因高集成度和低功耗特性成为现代电子设备的基石。

权威参考来源

《Semiconductor Devices: Physics and Technology》（S.M. Sze, Wiley出版社）
IEEE Xplore数据库“CMOS技术演进”综述文献
牛津大学出版社《微电子电路设计》第6版

网络扩展解释

“金属氧物半导逻辑门”是电子工程领域的术语，结合了材料科学与数字电路技术。以下分两部分详细解释：

一、术语分解

金属氧化物半导体（MOS）
指由金属（如铝）、氧化物（如二氧化硅）和半导体（如硅）组成的结构。这种结构通过电场效应控制电流，是晶体管的核心技术。提到，金属氧化物广泛用于工业催化剂、干燥剂等领域，而在半导体中，二氧化硅等氧化物常作为绝缘层。
逻辑门
数字电路的基本单元，用于实现布尔逻辑（如与、或、非门）。MOS逻辑门即采用MOS技术制造的逻辑电路元件，具有低功耗、高集成度特点。

二、工作原理与应用

结构特性：MOS逻辑门基于金属-氧化物-半导体三层结构，通过栅极电压控制源极与漏极间电流的通断，实现二进制信号的0/1切换。
技术优势：相较于传统双极型晶体管，MOS逻辑门功耗更低，适合大规模集成电路（如现代CPU、存储器芯片）。
术语修正建议：中文更常用“金属氧化物半导体逻辑门”或英文缩写“MOS逻辑门”，“金属氧物”可能为翻译误差，建议规范表述。

当前主流的CMOS（互补型MOS）技术即基于此原理，进一步降低了静态功耗，成为集成电路的基石技术。