晶體三極管英文解釋翻譯、晶體三極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 crystal triode

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

dynatron
【化】 triode

晶體三極管（Transistor）是一種基于半導體材料制成的三端電子器件，具有信號放大與開關控制功能。其核心原理是通過輸入端的微小電流或電壓變化，調控輸出端的大幅度電流變化。以下從漢英對照及技術角度展開解釋：

漢英術語對照
- 中文：晶體三極管 | 英文：Bipolar Junction Transistor (BJT)
- 電極：發射極（Emitter）、基極（Base）、集電極（Collector）
- 類型：NPN型、PNP型（NPN/PNP Type）
  來源：《電子工程術語标準手冊》（IEEE标準）
結構組成
由三層半導體材料構成，形成兩個PN結。以NPN型為例，結構為“N型- P型- N型”層疊，基極（P區）厚度僅微米級，用于控制載流子傳輸。

參考：MIT開放式課程《半導體器件物理》
工作原理
基極-發射極正向偏置時，電子從發射極注入基區，并通過集電結電場被收集，形成放大效應。電流關系滿足：

$$

I_C = beta I_B

$$

其中β為電流放大系數。

公式來源：Horowitz《電子藝術》第三版
應用領域
廣泛用于模拟電路（如放大器）、數字電路（邏輯門）及電源管理。根據Global Market Insights報告，2023年全球晶體管市場規模已達480億美元，通信設備占比超35%。

晶體三極管（Transistor）是一種由半導體材料制成的電子器件，主要用于放大電信號、控制電流或作為開關使用。它是現代電子電路的核心元件之一，在計算機、通信設備、家電等領域廣泛應用。以下是詳細解釋：

晶體三極管通常由三個電極和兩個PN結構成：

根據材料排列方式分為NPN型和PNP型：

三極管通過基極電流控制集電極電流，實現信號放大：

公式表示：
$$ I_C = beta IB + I{CEO} $$ 其中 $I_C$ 為集電極電流，$IB$ 為基極電流，$I{CEO}$ 為反向飽和電流。

1947年由貝爾實驗室發明，取代了笨重的真空管，推動了電子設備的小型化和集成化，被譽為“20世紀最重要的發明之一”。

如果需要更深入的技術參數或電路設計案例，建議參考電子工程教材或專業手冊。