晶體管多級放大器英文解釋翻譯、晶體管多級放大器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor multistage amplifier

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【計】 multistage amplifier

晶體管多級放大器（Transistor Multistage Amplifier）是一種由多個晶體管單級放大電路級聯組成的電子信號放大系統，其核心目标是通過逐級放大提升整體增益、帶寬和信噪比。以下從結構與功能角度展開解釋：

基本架構與工作原理
典型設計包含輸入級、中間級和輸出級。輸入級常采用共射極電路實現電壓放大，中間級通過共集電極或共基極電路優化阻抗匹配，輸出級則多使用推挽結構增強功率輸出能力。每級電路通過耦合電容或直接耦合方式連接，确保信號傳遞效率（參考：《電子電路設計基礎》，清華大學出版社）。
關鍵性能參數
總增益計算公式為：

$$ Av = A{v1} times A{v2} times cdots times A{vn} $$

其中$A_{vn}$代表第n級電壓增益。頻率響應受米勒效應和寄生電容影響，需通過補償電路優化（來源：IEEE Transactions on Circuits and Systems）。
設計考量要點
- 級間阻抗匹配：防止信號反射導緻增益損失
- 溫度穩定性：采用負反饋網絡抑制熱漂移
- 非線性失真控制：動态工作點調節技術
- 電源退耦設計：降低級間串擾（參考：美國專利US4583045）
典型應用場景
廣泛應用于通信系統射頻前端、音頻功率放大模塊、醫療設備生物電信號采集等高頻/高靈敏度場景。例如5G基站接收鍊路中，多級低噪聲放大器（LNA）可将微弱的射頻信號放大至可處理範圍（來源：羅德與施瓦茨技術白皮書）。

晶體管多級放大器是一種由多個晶體管放大電路級聯組成的電子系統，主要用于對微弱信號進行高增益放大。以下從結構、原理和特性三方面詳細解釋：

級聯設計
由多個單級放大器串聯構成，常見級數包括前級（電壓放大）和後級（功率放大）。每級可能采用不同晶體管配置，如共射極（高增益）、共集極（阻抗匹配）或共基極（高頻響應）。
耦合方式
各級間通過電容耦合、直接耦合或變壓器耦合連接。電容耦合可隔離直流偏置，但低頻響應受限；直接耦合適合集成電路，但需解決級間電位匹配問題。

信號放大機制
前級負責小信號電壓放大，後級側重電流驅動能力。例如，第一級可能采用高輸入阻抗的共集電路接收信號，中間級用共射電路提升增益，末級通過共集電路降低輸出阻抗。
總增益計算
多級放大器的總電壓增益為各級增益乘積，即： $$ Av = A{v1} times A{v2} times cdots times A{vn} $$ 但需考慮級間負載效應，實際設計時需進行阻抗匹配優化。

主要用于音頻設備、通信接收機前端、傳感器信號調理等場景。例如助聽器中通過3-4級放大将μV級信號放大至驅動揚聲器所需電平。

如需更完整的電路設計參數或具體型號選型建議，可參考原始文獻中的詳細分析。