晶体管多级放大器英文解释翻译、晶体管多级放大器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor multistage amplifier

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【计】 multistage amplifier

晶体管多级放大器（Transistor Multistage Amplifier）是一种由多个晶体管单级放大电路级联组成的电子信号放大系统，其核心目标是通过逐级放大提升整体增益、带宽和信噪比。以下从结构与功能角度展开解释：

基本架构与工作原理
典型设计包含输入级、中间级和输出级。输入级常采用共射极电路实现电压放大，中间级通过共集电极或共基极电路优化阻抗匹配，输出级则多使用推挽结构增强功率输出能力。每级电路通过耦合电容或直接耦合方式连接，确保信号传递效率（参考：《电子电路设计基础》，清华大学出版社）。
关键性能参数
总增益计算公式为：

$$ Av = A{v1} times A{v2} times cdots times A{vn} $$

其中$A_{vn}$代表第n级电压增益。频率响应受米勒效应和寄生电容影响，需通过补偿电路优化（来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems）。
设计考量要点
- 级间阻抗匹配：防止信号反射导致增益损失
- 温度稳定性：采用负反馈网络抑制热漂移
- 非线性失真控制：动态工作点调节技术
- 电源退耦设计：降低级间串扰（参考：美国专利US4583045）
典型应用场景
广泛应用于通信系统射频前端、音频功率放大模块、医疗设备生物电信号采集等高频/高灵敏度场景。例如5G基站接收链路中，多级低噪声放大器（LNA）可将微弱的射频信号放大至可处理范围（来源：罗德与施瓦茨技术白皮书）。

晶体管多级放大器是一种由多个晶体管放大电路级联组成的电子系统，主要用于对微弱信号进行高增益放大。以下从结构、原理和特性三方面详细解释：

级联设计
由多个单级放大器串联构成，常见级数包括前级（电压放大）和后级（功率放大）。每级可能采用不同晶体管配置，如共射极（高增益）、共集极（阻抗匹配）或共基极（高频响应）。
耦合方式
各级间通过电容耦合、直接耦合或变压器耦合连接。电容耦合可隔离直流偏置，但低频响应受限；直接耦合适合集成电路，但需解决级间电位匹配问题。

信号放大机制
前级负责小信号电压放大，后级侧重电流驱动能力。例如，第一级可能采用高输入阻抗的共集电路接收信号，中间级用共射电路提升增益，末级通过共集电路降低输出阻抗。
总增益计算
多级放大器的总电压增益为各级增益乘积，即： $$ Av = A{v1} times A{v2} times cdots times A{vn} $$ 但需考虑级间负载效应，实际设计时需进行阻抗匹配优化。

主要用于音频设备、通信接收机前端、传感器信号调理等场景。例如助听器中通过3-4级放大将μV级信号放大至驱动扬声器所需电平。

如需更完整的电路设计参数或具体型号选型建议，可参考原始文献中的详细分析。