控制栅極注入英文解釋翻譯、控制栅極注入的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 control-grid injection

分詞翻譯：

控制的英語翻譯：

control; dominate; desist; grasp; hold; manage; master; predominate; rein
rule
【計】 C; control; controls; dominance; gated; gating; governing
【醫】 control; dirigation; encraty
【經】 check; command; control; controlling; cost control; dominantion
monitoring; regulate; rig

栅極注入的英語翻譯：

【電】 grid injection

專業解析

控制栅極注入（Control Grid Injection）是電子工程領域用于描述半導體器件中載流子調控機制的專業術語。該概念指通過控制栅極結構對電荷載流子（電子或空穴）進行定向注入的操作，用以調節器件導電性能或實現特定功能。

從漢英詞典角度解析：

控制（Control）：對應電場或電壓的精确調節
栅極（Grid/Gate）：指三極管、場效應管中的控制電極
注入（Injection）：表示載流子穿越勢壘進入特定區域的過程

在金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，控制栅極電壓通過改變溝道區的電場強度，控制源極與漏極之間的載流子注入量。這種注入機制直接影響器件的阈值電壓和開關特性，其物理模型可表示為： $$ V{th} = phi{ms} + 2phi_F + frac{sqrt{4qvarepsilon_s N_A phiF}}{C{ox}} $$ 其中$C_{ox}$為栅氧化層電容，$N_A$是襯底摻雜濃度。

技術應用包括：

存儲器單元的數據寫入（如Flash存儲器的電荷存儲）
功率半導體器件的導通控制
傳感器信號調制

本概念在《半導體器件物理》（施敏著）和IEEE Electron Device Letters期刊中均有詳細論述，建議參考Springer出版的《Modern Semiconductor Device Physics》第4章栅控原理相關内容。

網絡擴展解釋

“控制栅極注入”是半導體器件領域的一個專業術語，通常與晶體管（如MOSFET）或存儲器（如閃存）的工作機制相關。以下是可能的解釋方向：

MOSFET中的熱載流子注入在傳統MOSFET中，當栅極電壓較高時，溝道中的載流子（電子或空穴）可能獲得足夠能量，穿過栅極氧化層進入栅極材料中。這種現象稱為熱載流子注入，可能導緻器件阈值電壓漂移或可靠性下降。
閃存存儲器的電荷存儲機制在閃存中，“控制栅極”通過施加電壓，将電荷（電子）注入浮栅層實現數據存儲。例如：
- 寫入時，高電壓使電子隧穿進入浮栅（Fowler-Nordheim隧穿）
- 擦除時，反向電壓将電子拉出浮栅
離子注入工藝中的栅極掩膜作用在芯片制造中，控制栅極結構可作為離子注入的掩膜，精确控制摻雜區域：
```
$$ 
text{摻雜濃度} propto frac{V_{gate}}{t_{oxide}} 
$$
```
其中$V{gate}$為栅壓，$t{oxide}$為氧化層厚度。
新型器件中的載流子調控在納米級器件（如FinFET）中，栅極結構的三維設計可優化載流子注入路徑，提升開關速度和能效比。

由于該術語的具體含義需結合應用場景判斷，建議補充以下信息：

具體器件類型（如MOSFET/閃存/IGBT）
應用場景（制造工藝/電路設計/可靠性分析）
相關參數（電壓/電流/材料特性）

若涉及學術文獻，可提供原文段落以便更精準解讀。