控制栅极注入英文解释翻译、控制栅极注入的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 control-grid injection

分词翻译：

控制的英语翻译：

control; dominate; desist; grasp; hold; manage; master; predominate; rein
rule
【计】 C; control; controls; dominance; gated; gating; governing
【医】 control; dirigation; encraty
【经】 check; command; control; controlling; cost control; dominantion
monitoring; regulate; rig

栅极注入的英语翻译：

【电】 grid injection

专业解析

控制栅极注入（Control Grid Injection）是电子工程领域用于描述半导体器件中载流子调控机制的专业术语。该概念指通过控制栅极结构对电荷载流子（电子或空穴）进行定向注入的操作，用以调节器件导电性能或实现特定功能。

从汉英词典角度解析：

控制（Control）：对应电场或电压的精确调节
栅极（Grid/Gate）：指三极管、场效应管中的控制电极
注入（Injection）：表示载流子穿越势垒进入特定区域的过程

在金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中，控制栅极电压通过改变沟道区的电场强度，控制源极与漏极之间的载流子注入量。这种注入机制直接影响器件的阈值电压和开关特性，其物理模型可表示为： $$ V{th} = phi{ms} + 2phi_F + frac{sqrt{4qvarepsilon_s N_A phiF}}{C{ox}} $$ 其中$C_{ox}$为栅氧化层电容，$N_A$是衬底掺杂浓度。

技术应用包括：

存储器单元的数据写入（如Flash存储器的电荷存储）
功率半导体器件的导通控制
传感器信号调制

本概念在《半导体器件物理》（施敏著）和IEEE Electron Device Letters期刊中均有详细论述，建议参考Springer出版的《Modern Semiconductor Device Physics》第4章栅控原理相关内容。

网络扩展解释

“控制栅极注入”是半导体器件领域的一个专业术语，通常与晶体管（如MOSFET）或存储器（如闪存）的工作机制相关。以下是可能的解释方向：

MOSFET中的热载流子注入在传统MOSFET中，当栅极电压较高时，沟道中的载流子（电子或空穴）可能获得足够能量，穿过栅极氧化层进入栅极材料中。这种现象称为热载流子注入，可能导致器件阈值电压漂移或可靠性下降。
闪存存储器的电荷存储机制在闪存中，“控制栅极”通过施加电压，将电荷（电子）注入浮栅层实现数据存储。例如：
- 写入时，高电压使电子隧穿进入浮栅（Fowler-Nordheim隧穿）
- 擦除时，反向电压将电子拉出浮栅
离子注入工艺中的栅极掩膜作用在芯片制造中，控制栅极结构可作为离子注入的掩膜，精确控制掺杂区域：
```
$$ 
text{掺杂浓度} propto frac{V_{gate}}{t_{oxide}} 
$$
```
其中$V{gate}$为栅压，$t{oxide}$为氧化层厚度。
新型器件中的载流子调控在纳米级器件（如FinFET）中，栅极结构的三维设计可优化载流子注入路径，提升开关速度和能效比。

由于该术语的具体含义需结合应用场景判断，建议补充以下信息：

具体器件类型（如MOSFET/闪存/IGBT）
应用场景（制造工艺/电路设计/可靠性分析）
相关参数（电压/电流/材料特性）

若涉及学术文献，可提供原文段落以便更精准解读。