微合金擴散晶體管英文解釋翻譯、微合金擴散晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 microalloy diffused transistor

microalloy

【電】 diffusion transistor

微合金擴散晶體管（Micro-Alloy Diffused Transistor）是一種早期的高頻雙極結型晶體管（BJT），其核心結構通過微合金工藝與擴散工藝相結合實現。以下是分項解釋：

微合金（Micro-Alloy）
指在半導體基片（如鍺或矽）表面局部沉積微小金屬電極（如铟球），通過高溫燒結形成合金結。該工藝可精确控制電極尺寸，降低基極電阻，提升高頻性能。

英文對照：Micro-alloying = 微米級合金電極制備工藝
擴散（Diffused）
在基區采用氣相擴散技術摻雜雜質（如磷或硼），形成梯度摻雜的基區層。擴散工藝使基區寬度更薄且濃度可控，顯著縮短載流子渡越時間。

英文對照：Diffused base = 擴散基區
組合優勢
微合金電極與擴散基區的結合，實現了低基極電阻（< 50Ω）與窄基區寬度（≈1μm），使截止頻率（fₜ）可達數百MHz，適用于1960-70年代射頻放大電路。

注：部分曆史文獻鍊接受限于數據庫權限，建議通過IEEE Xplore或大學圖書館訪問完整資源。

“微合金擴散晶體管”是一種半導體器件，其名稱結合了材料工藝和結構特點。以下是詳細解釋：

術語構成解析
- 微合金：指在制造過程中使用微量合金材料（如金、銀等）進行摻雜或界面處理，這種工藝能優化晶體管的導電性能。
- 擴散：指通過高溫擴散工藝将雜質原子（如磷、硼）滲入半導體基片（如矽），形成P-N結或基極區域。
- 晶體管：一種三端半導體器件，用于放大信號或作為電子開關。
技術特點
這類晶體管通常采用微合金擴散基極結構，基極區域通過合金化和擴散工藝形成，具有高頻響應快、電流增益高的優勢。例如，早期用于高頻放大電路或高速開關場景。
應用領域
常見于20世紀中後期的電子設備，如收音機、通信設備等，後因集成電路發展逐漸被其他類型晶體管替代。

如需進一步了解制造工藝或具體型號，可參考電子工程領域的專業文獻。