微合金扩散晶体管英文解释翻译、微合金扩散晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 microalloy diffused transistor

microalloy

【电】 diffusion transistor

微合金扩散晶体管（Micro-Alloy Diffused Transistor）是一种早期的高频双极结型晶体管（BJT），其核心结构通过微合金工艺与扩散工艺相结合实现。以下是分项解释：

微合金（Micro-Alloy）
指在半导体基片（如锗或硅）表面局部沉积微小金属电极（如铟球），通过高温烧结形成合金结。该工艺可精确控制电极尺寸，降低基极电阻，提升高频性能。

英文对照：Micro-alloying = 微米级合金电极制备工艺
扩散（Diffused）
在基区采用气相扩散技术掺杂杂质（如磷或硼），形成梯度掺杂的基区层。扩散工艺使基区宽度更薄且浓度可控，显著缩短载流子渡越时间。

英文对照：Diffused base = 扩散基区
组合优势
微合金电极与扩散基区的结合，实现了低基极电阻（< 50Ω）与窄基区宽度（≈1μm），使截止频率（fₜ）可达数百MHz，适用于1960-70年代射频放大电路。

注：部分历史文献链接受限于数据库权限，建议通过IEEE Xplore或大学图书馆访问完整资源。

“微合金扩散晶体管”是一种半导体器件，其名称结合了材料工艺和结构特点。以下是详细解释：

术语构成解析
- 微合金：指在制造过程中使用微量合金材料（如金、银等）进行掺杂或界面处理，这种工艺能优化晶体管的导电性能。
- 扩散：指通过高温扩散工艺将杂质原子（如磷、硼）渗入半导体基片（如硅），形成P-N结或基极区域。
- 晶体管：一种三端半导体器件，用于放大信号或作为电子开关。
技术特点
这类晶体管通常采用微合金扩散基极结构，基极区域通过合金化和扩散工艺形成，具有高频响应快、电流增益高的优势。例如，早期用于高频放大电路或高速开关场景。
应用领域
常见于20世纪中后期的电子设备，如收音机、通信设备等，后因集成电路发展逐渐被其他类型晶体管替代。

如需进一步了解制造工艺或具体型号，可参考电子工程领域的专业文献。