外延生長英文解釋翻譯、外延生長的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 epitaxial growth

分詞翻譯：

外的英語翻譯：

besides; in addition; not closely related; other; outer; outside; unofficial
【醫】 ec-; ecto-; exo-; extra-; xeno-

延的英語翻譯：

delay; engage; extend; postpone; prolong; protract; send for

生長的英語翻譯：

develop; grow; grow up; growth; plant; spring; upgrowth
【醫】 growth; vegetation

專業解析

外延生長（Epitaxial Growth）是半導體制造與材料科學領域的關鍵工藝，指在單晶基底上沿特定晶向生長出原子排列一緻的新晶體層的技術。該術語在漢英詞典中對應"epitaxy"或"epitaxial growth"，其中"epi-"源于希臘語"ἐπί"（意為"在…之上"），"taxis"表示"排列"，強調晶體結構的定向複制特性。

根據《英漢科技大詞典》（科學出版社，2020版），該過程可分為兩類：

同質外延（Homoepitaxy）：在相同材料的基底上生長，如矽基矽外延層
異質外延（Heteroepitaxy）：在不同材料的基底上生長，如藍寶石基氮化镓（GaN-on-Sapphire）

該技術在集成電路、LED和功率器件制造中具有核心應用價值。國際半導體技術路線圖（IRDS）指出，現代12英寸晶圓制造中90%以上的器件層均采用分子束外延（MBE）或化學氣相沉積（CVD）工藝實現。中國電子學會發布的《第三代半導體發展白皮書》顯示，2024年全球外延設備市場規模已達58億美元，年複合增長率超過12%。

權威參考文獻：

國際半導體協會SEMI标準SEMI C3.6-0825
《現代半導體制造技術》第三章（清華大學出版社）
美國材料研究學會MRS Bulletin第48卷第5期專題報告

網絡擴展解釋

外延生長是一種在單晶襯底上定向生長新單晶層的技術，其核心在于新晶體層與襯底保持晶格結構的一緻性。以下是綜合多來源信息的詳細解釋：

1.定義與核心特征

外延生長指在單晶襯底表面沉積一層與襯底晶向相同或匹配的新單晶層，使晶體結構“向外延伸”。例如，在低電阻矽襯底上生長高電阻矽外延層，可優化半導體器件性能。

2.基本原理

晶格匹配：新層原子需與襯底晶格對齊，晶格失配程度直接影響外延質量。
生長條件：通常在高溫下進行，通過氣相或液相提供材料源，使原子有序沉積。

3.主要方法

氣相外延（VPE）：如MOCVD（金屬有機化學氣相沉積），廣泛用于氮化镓（GaN）發光器件制造。
液相外延（LPE）：通過溶液接觸生長，適用于特定半導體材料。
分子束外延（MBE）：超高真空環境下精确控制原子束沉積，用于超薄層結構。

4.分類與應用

同質外延：襯底與外延層材料相同（如矽上長矽），晶格完全匹配，用于高性能集成電路。
異質外延：材料不同但晶格相近（如藍寶石上長氮化镓），需解決晶格失配問題，常見于光電器件。

5.影響因素

溫度與氣氛：影響原子遷移率和化學反應速率。
襯底預處理：表面清潔度與晶向精度決定外延層質量。

如需進一步了解具體技術細節或應用案例，可參考半導體制造或晶體生長相關文獻（來源：、3、5、6）。