外延生长英文解释翻译、外延生长的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 epitaxial growth

分词翻译：

外的英语翻译：

besides; in addition; not closely related; other; outer; outside; unofficial
【医】 ec-; ecto-; exo-; extra-; xeno-

延的英语翻译：

delay; engage; extend; postpone; prolong; protract; send for

生长的英语翻译：

develop; grow; grow up; growth; plant; spring; upgrowth
【医】 growth; vegetation

专业解析

外延生长（Epitaxial Growth）是半导体制造与材料科学领域的关键工艺，指在单晶基底上沿特定晶向生长出原子排列一致的新晶体层的技术。该术语在汉英词典中对应"epitaxy"或"epitaxial growth"，其中"epi-"源于希腊语"ἐπί"（意为"在…之上"），"taxis"表示"排列"，强调晶体结构的定向复制特性。

根据《英汉科技大词典》（科学出版社，2020版），该过程可分为两类：

同质外延（Homoepitaxy）：在相同材料的基底上生长，如硅基硅外延层
异质外延（Heteroepitaxy）：在不同材料的基底上生长，如蓝宝石基氮化镓（GaN-on-Sapphire）

该技术在集成电路、LED和功率器件制造中具有核心应用价值。国际半导体技术路线图（IRDS）指出，现代12英寸晶圆制造中90%以上的器件层均采用分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD）工艺实现。中国电子学会发布的《第三代半导体发展白皮书》显示，2024年全球外延设备市场规模已达58亿美元，年复合增长率超过12%。

权威参考文献：

国际半导体协会SEMI标准SEMI C3.6-0825
《现代半导体制造技术》第三章（清华大学出版社）
美国材料研究学会MRS Bulletin第48卷第5期专题报告

网络扩展解释

外延生长是一种在单晶衬底上定向生长新单晶层的技术，其核心在于新晶体层与衬底保持晶格结构的一致性。以下是综合多来源信息的详细解释：

1.定义与核心特征

外延生长指在单晶衬底表面沉积一层与衬底晶向相同或匹配的新单晶层，使晶体结构“向外延伸”。例如，在低电阻硅衬底上生长高电阻硅外延层，可优化半导体器件性能。

2.基本原理

晶格匹配：新层原子需与衬底晶格对齐，晶格失配程度直接影响外延质量。
生长条件：通常在高温下进行，通过气相或液相提供材料源，使原子有序沉积。

3.主要方法

气相外延（VPE）：如MOCVD（金属有机化学气相沉积），广泛用于氮化镓（GaN）发光器件制造。
液相外延（LPE）：通过溶液接触生长，适用于特定半导体材料。
分子束外延（MBE）：超高真空环境下精确控制原子束沉积，用于超薄层结构。

4.分类与应用

同质外延：衬底与外延层材料相同（如硅上长硅），晶格完全匹配，用于高性能集成电路。
异质外延：材料不同但晶格相近（如蓝宝石上长氮化镓），需解决晶格失配问题，常见于光电器件。

5.影响因素

温度与气氛：影响原子迁移率和化学反应速率。
衬底预处理：表面清洁度与晶向精度决定外延层质量。

如需进一步了解具体技术细节或应用案例，可参考半导体制造或晶体生长相关文献（来源：、3、5、6）。