單位位錯英文解釋翻譯、單位位錯的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 unit dislocation

分詞翻譯：

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

位的英語翻譯：

digit; location; place; potential; throne
【計】 D
【化】 bit
【醫】 P; position
【經】 bit

位錯的英語翻譯：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

專業解析

單位位錯（Unit Dislocation）的漢英詞典角度詳解

1. 中文定義與核心概念

單位位錯是晶體材料中最基本、不可再分解的位錯類型。在中文語境中：

“位” 指原子在晶體點陣中的位置；
“錯” 表示原子排列偏離理想周期性的缺陷狀态；
“單位” 強調其伯格斯矢量（Burgers Vector）的最小性，即該矢量等于晶體點陣的最短平移矢量（如簡單立方晶體中的<100>方向矢量）。其存在會導緻晶格局部畸變，影響材料的力學與電學性質。

2. 英文定義與術語解析（Unit Dislocation）

英文術語由兩部分構成：

Dislocation（位錯）：源自拉丁語 dislocare（位移），描述晶體中原子列的不連續排列；
Unit（單位）：指其伯格斯矢量 $vec{b}$ 的模長等于點陣常數（Lattice Parameter），即 $|vec{b}| = a$（$a$ 為晶格常數）。例如在面心立方（FCC）晶體中，單位位錯的伯格斯矢量為 $frac{a}{2}langle110rangle$，代表滑移所需的最小位移矢量。

3. 物理本質與特征

單位位錯的核心判定依據是其伯格斯矢量的不可約性：

伯格斯矢量 $vec{b}$ 的取值必須平行于密排方向，且長度等于該方向原子間距；
若 $vec{b}$ 可分解為兩個更小矢量（如 $vec{b}_1 + vec{b}2$），則稱為“部分位錯”（Partial Dislocation），單位位錯需滿足 $|vec{b}|{text{min}}$ 條件；
在透射電鏡（TEM）觀測中，單位位錯表現為清晰的線缺陷，其應變場範圍與 $|vec{b}|$ 成正比。

4. 材料科學意義

單位位錯是塑性變形的載體，直接影響材料性能：

滑移機制：單位位錯沿密排面滑移導緻晶體塑性形變（如銅晶體的{111}面滑移）；
強化效應：位錯密度升高會阻礙位錯運動，提升材料強度（如加工硬化現象）；
位錯反應：單位位錯可通過反應形成更穩定的組态（如FCC晶體中 $frac{a}{2}[bar{1}10] + frac{a}{6}[11bar{2}] rightarrow frac{a}{6}[21bar{1}]$）。

權威參考文獻：

馮端, 《材料科學導論》第4章晶體缺陷, 高等教育出版社. 鍊接
Hull, D. & Bacon, D.J., Introduction to Dislocations (5th ed.), Butterworth-Heinemann. 鍊接
中國材料研究學會, 《材料科學術語标準》. 鍊接
Hirth, J.P. & Lothe, J., Theory of Dislocations, Wiley. 鍊接

網絡擴展解釋

單位位錯是晶體缺陷研究中的一個重要概念，具體定義及相關特性如下：

1.基本定義

單位位錯（也稱特征位錯）是指柏氏矢量（Burgers vector）等于晶體中最短的點陣矢量的位錯。柏氏矢量是描述位錯導緻晶體原子排列畸變的矢量參數，其方向與大小直接影響位錯的性質。

2.分類與對比

根據柏氏矢量與點陣矢量的關系，位錯可分為：

單位位錯：柏氏矢量b 恰好等于晶體中最短的點陣矢量（如簡單立方晶體中的[ b = alangle100rangle ]）。
全位錯：柏氏矢量為點陣矢量的整數倍，滑移後晶體原子排列不變。
不全位錯：柏氏矢量不等于點陣矢量的整數倍，滑移後原子排列規律改變。

3.穩定性與能量

位錯能量與其柏氏矢量平方（( E propto b )）成正比，因此單位位錯因b最小而最穩定。例如，面心立方（FCC）晶體中單位位錯的柏氏矢量為[ frac{a}{2}langle110rangle ]，這是其最短的點陣矢量。

4.實際意義

單位位錯是晶體塑性變形的基礎載體，其運動（滑移或攀移）主導了材料的力學行為。例如，金屬的延展性與位錯滑移密切相關。

總結

單位位錯是晶體缺陷的核心概念之一，其柏氏矢量的特殊性決定了其在材料科學中的基礎地位。如需更深入的理論推導或實際案例，可參考晶體學教材或相關論文。