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漂移速率英文解釋翻譯、漂移速率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 drift speed

分詞翻譯:

漂移的英語翻譯:

【醫】 drifting

速率的英語翻譯:

rate; speed; tempo; velocity
【化】 rate; speed
【醫】 speed; velocity

專業解析

在半導體物理學中,漂移速率(Drift Velocity)指載流子(電子或空穴)在電場作用下定向移動的平均速度。當半導體或導體兩端施加電壓時,内部形成電場,載流子受電場力驅動産生定向運動,其平均速度即為漂移速率。該速率遠小于載流子熱運動速度,且與電場強度成正比,關系式為:

$$ v_d = mu E $$

其中:

關鍵特性與應用

  1. 與電流密度的關系

    漂移速率直接影響電流密度 $J$。對于電子導電,$J = n e v_d$($n$ 為電子濃度,$e$ 為元電荷)。漂移速率越高,單位時間内通過截面的載流子越多,電流越大。

  2. 遷移率依賴性

    遷移率 $mu$ 反映材料對載流子的阻礙程度,受晶格散射、雜質濃度和溫度影響。例如,矽中電子遷移率約為 1500 cm²/(V·s),空穴約為 450 cm²/(V·s)。

  3. 飽和現象

    強電場下(>10⁵ V/m),載流子動能增大,散射加劇,漂移速率趨于飽和(約 10⁷ cm/s),不再隨電場線性增加,導緻歐姆定律失效。

  4. 器件設計意義

    高頻器件(如晶體管)要求高漂移速率以減少載流子渡越時間。化合物半導體(如砷化镓)因電子遷移率高(約 8500 cm²/(V·s)),被用于高速集成電路。


引用來源:

  1. 半導體物理基礎(高等教育出版社)載流子輸運章節
  2. IEEE Electron Device Letters 強場輸運特性研究
  3. Compound Semiconductor Materials and Devices(Springer)高速材料應用

網絡擴展解釋

“漂移速率”是一個複合詞,需拆分理解“漂移”和“速率”的含義,在不同領域中有不同解釋:

一、基礎詞義解析

  1. 漂移

    • 駕駛技術:指車輛通過側向滑動過彎的動作,即“甩尾”。此時車頭方向與車身實際運動方向形成夾角,通過控制摩擦力實現高速過彎(, )。
    • 物理/電子學:指物體或電量因外界因素(如溫度、電壓)産生的穩定移動,如“零點漂移”“頻率漂移”(, )。
  2. 速率
    即速度的大小,表示物體在單位時間内移動的距離,是标量。

二、“漂移速率”的複合含義

  1. 賽車領域
    指車輛漂移過程中的平均速度,用于評估漂移技術的穩定性及車輛性能。例如:漂移時需平衡速度與側滑摩擦力,速率過高易失控,過低則無法完成漂移(, )。

  2. 物理/電子領域
    描述電子元件或信號因環境變化産生的偏移速度。例如:電路中的“頻率漂移速率”指信號頻率偏離穩定值的速度()。

三、典型場景對比

領域 漂移速率定義 應用場景
賽車駕駛 漂移過程中車輛的平均運動速度 賽事技術評估、車輛調校
電子工程 信號/電量偏離基準值的速度 電路穩定性監測、誤差修正

四、補充說明

建議結合具體領域(如賽車或電子工程)進一步細化分析。

分類

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