
【电】 drift speed
【医】 drifting
rate; speed; tempo; velocity
【化】 rate; speed
【医】 speed; velocity
在半导体物理学中,漂移速率(Drift Velocity)指载流子(电子或空穴)在电场作用下定向移动的平均速度。当半导体或导体两端施加电压时,内部形成电场,载流子受电场力驱动产生定向运动,其平均速度即为漂移速率。该速率远小于载流子热运动速度,且与电场强度成正比,关系式为:
$$ v_d = mu E $$
其中:
与电流密度的关系
漂移速率直接影响电流密度 $J$。对于电子导电,$J = n e v_d$($n$ 为电子浓度,$e$ 为元电荷)。漂移速率越高,单位时间内通过截面的载流子越多,电流越大。
迁移率依赖性
迁移率 $mu$ 反映材料对载流子的阻碍程度,受晶格散射、杂质浓度和温度影响。例如,硅中电子迁移率约为 1500 cm²/(V·s),空穴约为 450 cm²/(V·s)。
饱和现象
强电场下(>10⁵ V/m),载流子动能增大,散射加剧,漂移速率趋于饱和(约 10⁷ cm/s),不再随电场线性增加,导致欧姆定律失效。
器件设计意义
高频器件(如晶体管)要求高漂移速率以减少载流子渡越时间。化合物半导体(如砷化镓)因电子迁移率高(约 8500 cm²/(V·s)),被用于高速集成电路。
引用来源:
“漂移速率”是一个复合词,需拆分理解“漂移”和“速率”的含义,在不同领域中有不同解释:
漂移
速率
即速度的大小,表示物体在单位时间内移动的距离,是标量。
赛车领域
指车辆漂移过程中的平均速度,用于评估漂移技术的稳定性及车辆性能。例如:漂移时需平衡速度与侧滑摩擦力,速率过高易失控,过低则无法完成漂移(, )。
物理/电子领域
描述电子元件或信号因环境变化产生的偏移速度。例如:电路中的“频率漂移速率”指信号频率偏离稳定值的速度()。
领域 | 漂移速率定义 | 应用场景 |
---|---|---|
赛车驾驶 | 漂移过程中车辆的平均运动速度 | 赛事技术评估、车辆调校 |
电子工程 | 信号/电量偏离基准值的速度 | 电路稳定性监测、误差修正 |
建议结合具体领域(如赛车或电子工程)进一步细化分析。
薄片变甲醛不露声色彻响处理不当处理源程序得利者复发坏死性粘膜腺周炎附着板搁格格不入关灯谷类胶鼓索小管角蛋白纤维甲纤维素晶状体再生肌糖原脊椎前隙空子树绿肥皂酊纽约棉花交易所叛徒的葡茎三叶豆任意布局收入预计数输出组数列跳转向量