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漂移速率英文解释翻译、漂移速率的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 drift speed

分词翻译:

漂移的英语翻译:

【医】 drifting

速率的英语翻译:

rate; speed; tempo; velocity
【化】 rate; speed
【医】 speed; velocity

专业解析

在半导体物理学中,漂移速率(Drift Velocity)指载流子(电子或空穴)在电场作用下定向移动的平均速度。当半导体或导体两端施加电压时,内部形成电场,载流子受电场力驱动产生定向运动,其平均速度即为漂移速率。该速率远小于载流子热运动速度,且与电场强度成正比,关系式为:

$$ v_d = mu E $$

其中:

关键特性与应用

  1. 与电流密度的关系

    漂移速率直接影响电流密度 $J$。对于电子导电,$J = n e v_d$($n$ 为电子浓度,$e$ 为元电荷)。漂移速率越高,单位时间内通过截面的载流子越多,电流越大。

  2. 迁移率依赖性

    迁移率 $mu$ 反映材料对载流子的阻碍程度,受晶格散射、杂质浓度和温度影响。例如,硅中电子迁移率约为 1500 cm²/(V·s),空穴约为 450 cm²/(V·s)。

  3. 饱和现象

    强电场下(>10⁵ V/m),载流子动能增大,散射加剧,漂移速率趋于饱和(约 10⁷ cm/s),不再随电场线性增加,导致欧姆定律失效。

  4. 器件设计意义

    高频器件(如晶体管)要求高漂移速率以减少载流子渡越时间。化合物半导体(如砷化镓)因电子迁移率高(约 8500 cm²/(V·s)),被用于高速集成电路。


引用来源:

  1. 半导体物理基础(高等教育出版社)载流子输运章节
  2. IEEE Electron Device Letters 强场输运特性研究
  3. Compound Semiconductor Materials and Devices(Springer)高速材料应用

网络扩展解释

“漂移速率”是一个复合词,需拆分理解“漂移”和“速率”的含义,在不同领域中有不同解释:

一、基础词义解析

  1. 漂移

    • 驾驶技术:指车辆通过侧向滑动过弯的动作,即“甩尾”。此时车头方向与车身实际运动方向形成夹角,通过控制摩擦力实现高速过弯(, )。
    • 物理/电子学:指物体或电量因外界因素(如温度、电压)产生的稳定移动,如“零点漂移”“频率漂移”(, )。
  2. 速率
    即速度的大小,表示物体在单位时间内移动的距离,是标量。

二、“漂移速率”的复合含义

  1. 赛车领域
    指车辆漂移过程中的平均速度,用于评估漂移技术的稳定性及车辆性能。例如:漂移时需平衡速度与侧滑摩擦力,速率过高易失控,过低则无法完成漂移(, )。

  2. 物理/电子领域
    描述电子元件或信号因环境变化产生的偏移速度。例如:电路中的“频率漂移速率”指信号频率偏离稳定值的速度()。

三、典型场景对比

领域 漂移速率定义 应用场景
赛车驾驶 漂移过程中车辆的平均运动速度 赛事技术评估、车辆调校
电子工程 信号/电量偏离基准值的速度 电路稳定性监测、误差修正

四、补充说明

建议结合具体领域(如赛车或电子工程)进一步细化分析。

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