
【電】 photoelectromagnetic effect; photoeletromagnetic effect
光電磁效應(Photoelectromagnetic Effect),在物理學中特指光生伏特效應(Photovoltaic Effect)與電磁場相互作用的物理現象。其核心是半導體材料吸收光子後産生電子-空穴對(光生載流子),這些載流子在材料内部或外加電磁場作用下定向運動,從而産生電勢差或電流。該效應是太陽能電池、光電探測器等器件的理論基礎。
中英對照定義
關鍵物理過程
太陽能電池
典型如矽基太陽能電池,依賴PN結内建電場實現光能至電能的轉換。光照下PN結兩側産生光生電壓,最大輸出功率由填充因子(Fill Factor)和轉換效率決定。
來源:劉恩科《半導體物理學》(電子工業出版社,2017)
光電探測器
光電磁效應用于高速光電導器件,如砷化镓(GaAs)探測器。外電場加速光生載流子,提升器件響應速度與靈敏度。
來源:S. M. Sze《半導體器件物理》(Wiley,2018)
愛因斯坦光電方程
光電磁效應的量子理論基礎由愛因斯坦1905年提出,公式描述光子能量($E=h u$)與電子逸出功($W$)的關系:
$$ h u = W + frac{1}{2}mv $$
其中$h$為普朗克常數,$ u$為光頻率,$m$為電子質量,$v$為電子速度。
來源:《物理評論》期刊(Einstein, A. "On a Heuristic Viewpoint Concerning the Production and Transformation of Light", 1905)
半導體能帶理論
光生載流子的産生需滿足光子能量大于半導體帶隙($E_g$),即$h u > E_g$,否則光子無法激發電子躍遷。
來源:黃昆《固體物理學》(高等教育出版社,1988)
注:部分文獻将"光電磁效應"等同于"光生伏特效應",但嚴格意義上前者涵蓋更廣的電磁場耦合場景。
關于“光電磁效應”這一表述,目前科學領域并無明确定義。根據您的提問,可能涉及以下兩個相關概念的解釋,需結合光的電磁理論與光電效應進行綜合說明:
光的電磁理論由麥克斯韋在1865年提出,認為光本質上是電磁波的一種形式,其傳播遵循電磁場方程。核心内容包括:
光電效應是光與物質相互作用時表現出的量子化現象,由愛因斯坦在1905年提出光子假說解釋:
若您的問題指向其他具體效應,建議提供更多背景信息以便精準解答。
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