雙軸存儲元件英文解釋翻譯、雙軸存儲元件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 biax storage element

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

軸的英語翻譯：

axes; axis; shaft; spindle
【醫】 ax-; ax.; axes; axio-; axis; core

存儲元件的英語翻譯：

【計】 memory element

專業解析

雙軸存儲元件（Biaxial Memory Element）

在電子工程與計算機科學領域，"雙軸存儲元件"指一種利用兩個正交物理軸實現數據存儲的微型化存儲單元。其核心原理是通過控制磁性材料中磁化矢量的兩個獨立方向（如水平軸與垂直軸）來表征二進制狀态（0/1），從而實現高密度、非易失性數據存儲。該技術常見于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）等新型存儲設備，具有高速讀寫、低功耗及抗輻射特性。

術語構成解析：

雙軸（Biaxial）
指存儲單元依賴兩個相互垂直的軸向（如電場方向與磁場方向）協同工作。例如，在自旋轉移矩磁阻存儲器（STT-MRAM）中，電子的自旋極化方向沿水平軸寫入，而垂直磁各向異性（PMA）材料則提供垂直軸的穩定性。

存儲元件（Memory Element）
指構成存儲器的基本單元，通常由磁性隧道結（MTJ）結構實現。MTJ包含固定層/自由層磁性薄膜及中間絕緣屏障層，通過改變自由層磁化方向（平行或反平行于固定層）改變電阻值以存儲數據。

技術優勢：

高可靠性：雙軸控制可抑制熱擾動導緻的比特翻轉，提升數據保留能力（參見 IEEE 标準 MRAM可靠性模型）。
可擴展性：垂直磁化設計支持器件尺寸微縮至10nm以下，滿足高密度集成需求（參考 Applied Physics Letters 相關研究）。

應用場景：

主要應用于航空航天電子（抗輻射）、物聯網終端（低功耗）及人工智能加速器（高速緩存），例如 Everspin Technologies 的商用 MRAM 芯片即采用雙軸磁性元件設計。

參考文獻來源：

網絡擴展解釋

根據搜索結果顯示，“雙軸存儲元件”對應的英文為biax magnetic element，其核心含義與磁芯存儲技術相關。以下是詳細解釋：

1.定義與結構

雙軸存儲元件是一種早期的磁芯存儲器元件，其核心特征是具備雙軸（biax）磁化能力。這種元件通常由磁性材料構成，可通過兩個獨立的磁場方向（即雙軸）進行磁化，從而實現數據存儲。其結構設計允許更高效地記錄和讀取二進制信息。

2.技術特點

雙軸磁化：支持在兩個不同方向上施加磁場，可能用于區分“0”和“1”兩種狀态，或增強存儲穩定性。
應用場景：早期計算機中用于制造雙軸磁心存儲器（biax magnetic memory），屬于非易失性存儲技術的一種。

3.相關術語

雙軸磁芯（biax magnetic core）：指采用雙軸結構的磁芯元件，是存儲單元的核心部件。
雙軸勵磁（double excitation）：可能涉及通過兩個獨立磁場對元件進行操作，以提高讀寫效率。

4.曆史背景

這類技術多見于20世紀中期的計算機存儲設備，隨着半導體存儲器的普及逐漸被取代，但在磁芯存儲器發展史上具有重要意義。

如需更深入的原理或技術參數，可查閱計算機存儲技術相關文獻。