双轴存储元件英文解释翻译、双轴存储元件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 biax storage element

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

轴的英语翻译：

axes; axis; shaft; spindle
【医】 ax-; ax.; axes; axio-; axis; core

存储元件的英语翻译：

【计】 memory element

专业解析

双轴存储元件（Biaxial Memory Element）

在电子工程与计算机科学领域，"双轴存储元件"指一种利用两个正交物理轴实现数据存储的微型化存储单元。其核心原理是通过控制磁性材料中磁化矢量的两个独立方向（如水平轴与垂直轴）来表征二进制状态（0/1），从而实现高密度、非易失性数据存储。该技术常见于磁阻随机存取存储器（MRAM）等新型存储设备，具有高速读写、低功耗及抗辐射特性。

术语构成解析：

双轴（Biaxial）
指存储单元依赖两个相互垂直的轴向（如电场方向与磁场方向）协同工作。例如，在自旋转移矩磁阻存储器（STT-MRAM）中，电子的自旋极化方向沿水平轴写入，而垂直磁各向异性（PMA）材料则提供垂直轴的稳定性。

存储元件（Memory Element）
指构成存储器的基本单元，通常由磁性隧道结（MTJ）结构实现。MTJ包含固定层/自由层磁性薄膜及中间绝缘屏障层，通过改变自由层磁化方向（平行或反平行于固定层）改变电阻值以存储数据。

技术优势：

高可靠性：双轴控制可抑制热扰动导致的比特翻转，提升数据保留能力（参见 IEEE 标准 MRAM可靠性模型）。
可扩展性：垂直磁化设计支持器件尺寸微缩至10nm以下，满足高密度集成需求（参考 Applied Physics Letters 相关研究）。

应用场景：

主要应用于航空航天电子（抗辐射）、物联网终端（低功耗）及人工智能加速器（高速缓存），例如 Everspin Technologies 的商用 MRAM 芯片即采用双轴磁性元件设计。

参考文献来源：

网络扩展解释

根据搜索结果显示，“双轴存储元件”对应的英文为biax magnetic element，其核心含义与磁芯存储技术相关。以下是详细解释：

1.定义与结构

双轴存储元件是一种早期的磁芯存储器元件，其核心特征是具备双轴（biax）磁化能力。这种元件通常由磁性材料构成，可通过两个独立的磁场方向（即双轴）进行磁化，从而实现数据存储。其结构设计允许更高效地记录和读取二进制信息。

2.技术特点

双轴磁化：支持在两个不同方向上施加磁场，可能用于区分“0”和“1”两种状态，或增强存储稳定性。
应用场景：早期计算机中用于制造双轴磁心存储器（biax magnetic memory），属于非易失性存储技术的一种。

3.相关术语

双轴磁芯（biax magnetic core）：指采用双轴结构的磁芯元件，是存储单元的核心部件。
双轴励磁（double excitation）：可能涉及通过两个独立磁场对元件进行操作，以提高读写效率。

4.历史背景

这类技术多见于20世纪中期的计算机存储设备，随着半导体存储器的普及逐渐被取代，但在磁芯存储器发展史上具有重要意义。

如需更深入的原理或技术参数，可查阅计算机存储技术相关文献。